[發明專利]一種倒裝LED芯片及其制造方法無效
| 申請號： | 201310041872.8 | 申請日： | 2013-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN103078050A | 公開（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發明（設計）人： | 于洪波 | 申請（專利權）人： | 映瑞光電科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/60 | 分類號： | H01L33/60 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 倒裝 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一種倒裝LED芯片的制造方法，包括：
提供襯底，在襯底上沉積外延層，所述外延層包括N型氮化鎵層、多量子阱有源層和P型氮化鎵層；
刻蝕所述外延層，形成臺階陣列，所述臺階陣列暴露出N型氮化鎵層；
在所述P型氮化鎵層上形成第一金屬層；
對所述第一金屬層進行退火自組裝；
以第一金屬層為掩膜刻蝕所述P型氮化鎵層，在所述P型氮化鎵層中形成坑洞陣列；
在坑洞陣列中沉積第二金屬層，所述第一金屬層和第二金屬層組成金屬反射鏡層。
2.如權利要求1所述的倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于：所述金屬反射鏡層由多層金屬組成。
3.如權利要求2所述的倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于：組成所述金屬反射鏡層的多層金屬為Ni／Ag/Ti／Pt／Au、Ni／Al/Ti／Pt／Au、Ni／Ag／Ni／Au或Ni／Al/Ti／Au。
4.如權利要求3所述的倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于：所述金屬反射鏡層的厚度為0.1nm~10nm。
5.如權利要求1所述的倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于：干法刻蝕所述P型氮化鎵層，在所述P型氮化鎵層中形成坑洞陣列。
6.如權利要求1所述的倒裝LED芯片的制造方法，其特征在于：所述襯底為藍寶石襯底。
7.一種利用權利要求1所述的倒裝LED芯片的制造方法制造的倒裝LED芯片，其特征在于，包括：
襯底；
形成在所述襯底上的外延層，所述外延層包括依次形成的N型氮化鎵層、多量子阱有源層和P型氮化鎵層，所述P型氮化鎵層中形成有坑洞陣列；
金屬反射鏡層，形成在所述P型氮化鎵層上。
8.如權利要求7所述的倒裝LED芯片，其特征在于：組成金屬反射鏡層的多層金屬為Ni／Ag/Ti／Pt／Au、Ni／Al/Ti／Pt／Au、Ni／Ag／Ni／Au或Ni／Al/Ti／Au。
9.如權利要求8所述的倒裝LED芯片，其特征在于：所述金屬反射鏡層的厚度為0.1nm~10nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于映瑞光電科技（上海）有限公司，未經映瑞光電科技（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310041872.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：無繩電話晶振式調頻發射機
- 下一篇：一種高靈敏度的FM發射機
