[發明專利]絕緣體上硅射頻器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201310041637.0
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN103077950A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 鐘政;李樂
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/822
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述絕緣體上硅射頻器件包括：

硅基襯底，所述硅基襯底用于支撐所述絕緣體上硅射頻器件；

埋氧層，所述埋氧層設置在所述硅基襯底上；

器件層，所述器件層為硅層，設置在所述埋氧層之異于所述硅基襯底一側，所述器件層并具有器件區和用于器件隔離的淺溝槽隔離；

第一介質層，所述第一介質層覆蓋所述器件層；

第二介質層，所述第二介質層設置在所述第一介質層之異于所述器件層一側；以及，

深埋溝道，所述深埋溝道貫穿設置于所述埋氧層、器件層和第一介質層，并介于所述器件層的淺溝槽隔離之間。

2.如權利要求1所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述深埋溝道至所述硅基襯底與所述埋氧層之第一分界面縱向延伸至所述第一介質層與所述第二介質層之第二分界面。

3.如權利要求1所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述深埋溝道為體型。

4.如權利要求1所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述深埋溝道為“凹”型。

5.如權利要求1所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述深埋溝道為間隔條狀布置結構。

6.如權利要求5所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述深埋溝道具有5個條狀布置結構。

7.如權利要求2～6任一權利要求所述的絕緣體上硅射頻器件，其特征在于，所述深埋溝道的外向間距優選地為15～120μm。

8.如權利要求1所述的絕緣體上硅射頻器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法，包括：

執行步驟S1：在所述硅基襯底上形成所述埋氧層和絕緣體上硅射頻器件；

執行步驟S2：在所述器件層之異于所述埋氧層的一側設置第一介質層；

執行步驟S3：光刻、刻蝕所述埋氧層、器件層和第一介質層，并進行多晶硅填充、回刻，以形成所述深埋溝道；

執行步驟S4：在所述第一介質層和所述深埋溝道之異于所述器件層的一側設置第二介質層，獲得所述絕緣體上硅射頻器件。

9.如權利要求8所述的絕緣體上硅射頻器件的制造方法，其特征在于，形成所述絕緣體上硅射頻器件的步驟進一步包括，

提供硅基襯底，所述硅基襯底用于支撐所述絕緣體上硅射頻器件；

在所述硅基襯底上設置埋氧層；

在所述埋氧層之異于所述硅基襯底一側設置器件層，所述器件層為硅層，所述器件層并具有器件區和用于器件隔離的淺溝槽隔離。

10.如權利要求9所述的絕緣體上硅射頻器件的制造方法，其特征在于，所述器件層的器件區設置p型阱、在所述p型阱兩側分別設置第一n型摻雜區和第二n型摻雜區，以及在所述p型阱之異于所述第一n型摻雜區和第二n型摻雜區的一側設置所述多晶硅層。

11.如權利要求8所述的絕緣體上硅射頻器件的制造方法，其特征在于，形成所述深埋溝道的步驟進一步包括，

光刻、刻蝕所述埋氧層、器件層和第一介質層，形成深埋溝道圖案，所述深埋溝道圖案貫穿設置于所述埋氧層、器件層和第一介質層，并介于所述器件層的淺溝槽隔離之間；

在所述深埋溝道圖案內進行多晶硅填充；

對所述冗余的多晶硅進行回刻處理，以形成所述深埋溝道。