[發明專利]一種大電流半導體器件及其封裝方法

無效

• 申請號: 201310041577.2
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN103972190A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 郭可楨;熊會軍;徐銳
• 申請（專利權）人: 意法半導體制造（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/495;H01L21/60
• 代理公司: 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉耿

1.一種大電流半導體器件，包括通過樹脂密封封裝的芯片（13），至少一柵極引腳（5）和一源極引腳（6）從所述樹脂封裝的側面暴露，所述芯片（13）的表面形成源極焊盤（3）和柵極焊盤（4），所述柵極引腳（5）的接線端與所述柵極焊盤（4）鍵合，所述源極引腳（6）的接線端與所述源極焊盤（3）鍵合；

其特征在于：所述源極引腳（6）的接線端通過至少一金屬帶（1）與所述源極焊盤（3）鍵合。

2.如權利要求1所述的大電流半導體器件，其特征在于：所述源極引腳（6）的接線端通過至少兩根并列的所述金屬帶（1）與所述源極焊盤（3）鍵合。

3.如權利要求2所述的大電流半導體器件，其特征在于：所述柵極引腳（5）和源極引腳（6）分別從所述樹脂封裝同一側的兩端暴露，所述源極引腳（6）的接線端為一橫向擴展部（10），兩根所述金屬帶（1）分別連接所述橫向擴展部（10），所述橫向擴展部（10）從所述源極引腳（6）向柵極引腳（5）延伸，且不與所述柵極引腳（5）接觸。

4.如權利要求1所述的大電流半導體器件，其特征在于：所述柵極引腳（5）的接線端通過金屬帶或是金屬線與所述柵極焊盤（4）鍵合。

5.如權利要求1所述的大電流半導體器件，其特征在于：所述金屬帶（1）為以下中的一種：

鋁帶；

銅帶；

鋁鎂合金帶；以及

鍍錫銅帶。

6.如權利要求1所述的大電流半導體器件，其特征在于：所述金屬帶（1）為扁平帶狀金屬條，其橫截面為矩形。

7.一種大電流半導體器件框架，其特征在于：包括框架本體（8）以及在所述框架本體（8）上形成的若干如權利要求1至6中任意一項所述的大電流半導體器件（7），所述大電流半導體器件（7）伸出引腳的第一端（71）連接所述框架本體（8），所述框架本體（8）上形成若干連筋部（11）和加強筋部（12），所述連筋部（11）的兩端分別連接兩個相鄰的所述大電流半導體器件的第二端（72），或者所述連筋部（11）的一端連接一個所述大電流半導體器件的第二端（72），所述連筋部（11）的另一端通過所述加強筋部（12）連接所述框架本體（8）。

8.如權利要求7所述的大電流半導體器件框架，其特征在于：所述框架本體（8）上以若干個半導體器件為一組，一組半導體器件中相鄰的兩個所述大電流半導體器件的第二端（72）之間形成所述連筋部（11），每組半導體器件中兩側的所述大電流半導體器件的第二端（72）的外側形成的所述連筋部（11）通過所述加強筋部（12）連接所述框架本體（8），所述加強筋部（12）的伸展方向與所述半導體器件的高度方向平行。

9.一種大電流半導體器件的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：焊線，通過至少一金屬帶鍵合源極引腳接線端和源極焊盤。

10.如權利要求9所述的大電流半導體器件的封裝方法，其特征在于：所述焊線步驟之前包括以下步驟：貼膜、切割以及貼芯片。

11.如權利要求9所述的大電流半導體器件的封裝方法，其特征在于：所述焊線步驟之后包括以下步驟注塑成型、老化、去毛刺、電鍍、烘烤、切腳、成型以及測試。

12.如權利要求9所述的大電流半導體器件的封裝方法，其特征在于：所述金屬帶為以下中的一種：

鋁帶；

銅帶；

鋁鎂合金帶；以及

鍍錫銅帶。

13.權利要求9的大電流半導體器件的封裝方法，其特征在于：所述金屬帶為扁平帶狀金屬條，其橫截面為矩形。

14.權利要求9的大電流半導體器件的封裝方法，其特征在于：所述源極引腳接線端通過至兩根并列的所述金屬帶與所述源極焊盤鍵合。