[發明專利]用于計算正電子發射斷層造影的吸收參數的值的方法有效
| 申請號: | 201310041350.8 | 申請日: | 2013-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN103239251A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發明(設計)人: | J.O.布魯姆哈根;M.芬切爾;R.拉德貝克 | 申請(專利權)人: | 西門子公司 |
| 主分類號: | A61B6/03 | 分類號: | A61B6/03;A61B5/055 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 謝強 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 計算 正電子 發射 斷層 造影 吸收 參數 方法 | ||
1.一種用于借助磁共振斷層造影計算用于檢查對象(U)的正電子發射斷層造影(PET)的吸收參數(μ)的位置分辨的值(90,91)的方法,該方法包括:
-采集在第一區域(M)內部的第一磁共振(MR)數據,其中所述第一區域(M)位于磁共振設備(5)的視野內部,
-從第一區域(M)內部的第一MR數據(80)中位置分辨地計算吸收參數(μ)的第一值(90),以獲得三維(3d)參數圖(70),使得該參數圖(70)在第一區域(M)內部位置分辨地具有吸收參數(μ)的第一值(90),
-采集在第二區域(51)內部的第二MR數據(81),其中所述第二區域(51)與所述第一區域緊鄰并且位于視野的邊緣處,
-根據第二區域(51)內部的第二MR數據(81)位置分辨地計算吸收參數(μ)的第二值(91),
-將3d參數圖(70)擴展從所述第二MR數據(81)中所計算的吸收參數(μ)的第二值(91),使得所述參數圖(70)在第一區域(M)和第二區域(51)內部位置分辨地具有吸收參數(μ)的值(90,91)。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,在所述第二區域(51)內部第一MR數據(80)比所述第二MR數據(81)具有更大的位置失真(V)。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其中,所述第二MR數據(81)借助MR拍攝序列(65)來拍攝,所述拍攝序列包括:
-產生具有其位置依賴性的非線性的梯度場,使得在第二區域中該非線性補償基本磁場的位置非均勻性。
4.根據上述權利要求中任一項所述的方法,其中,借助迪克松MR拍攝技術采集所述第一MR數據(80),其中,使用在回波時刻在脂肪和水中的磁化的相位,以便區別檢查對象中的脂肪和水分量。
5.根據上述權利要求中任一項所述的方法,其中,所述第一MR數據(80)具有比所述第二MR數據(81)高的位置分辨率。
6.根據上述權利要求中任一項所述的方法,還包括:
-將從所述第二MR數據(81)中所計算的吸收參數(μ)的第二值根據吸收參數(μ)第一值(90)的位置分辨率進行插值。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,所述插值在第二區域(51)內部考慮所述檢查對象(U)的輪廓。
8.根據權利要求6或7所述的方法,其中,所述插值還包括:
-利用質量系數(Q)對從所述第二MR數據(81)中所計算的吸收參數(μ)第二值(91)進行位置分辨的加權,其中,所述質量系數(Q)量化了第二相關的MR數據(81)的位置失真(V),并且所述插值以更高的質量系數(Q)更強地考慮了吸收參數(μ)第二值(91)。
9.根據上述權利要求中任一項所述的方法,還包括:
-確定通過第二MR數據(81)成像的檢查對象(U)的方位和輪廓,其中,基于所確定的方位和輪廓進行對吸收參數(μ)的第二值(91)的計算。
10.根據權利要求9所述的方法,其中,所述計算對于檢查對象(U)的位于確定的輪廓內部的區域包括分配吸收參數(μ)的確定的第二值(91),并且對于位于確定的輪廓外部的區域包括分配吸收參數(μ)的另一個確定的第二值(91)。
11.根據上述權利要求中任一項所述的方法,還包括:
-在第一區域(M)內部也采集第二MR數據(81),
-將第二MR數據(81)分割為分別對第一和第二區域成像的第二MR數據(81),
-拋棄對第一區域成像的第二MR數據(81)。
12.一種用于正電子發射斷層造影的方法,該方法包括:
-采集PET數據(100),
-借助衰減校正參數校正所述PET數據(100),其中,所述衰減校正參數從借助按照權利要求1-11所述的方法所獲得的、吸收參數(μ)的值(90,91)的參數圖(70)中而獲得。
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