[發明專利]層疊陶瓷電容器的制造方法及層疊陶瓷電容器有效
| 申請號: | 201310041333.4 | 申請日: | 2013-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN103247441A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發明(設計)人: | 田中淳也;濱田大介 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H01G4/005 | 分類號: | H01G4/005;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 韓聰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 層疊 陶瓷 電容器 制造 方法 | ||
1.一種層疊陶瓷電容器的制造方法,具備:
準備在表面上形成有沿著第1方向及垂直于所述第1方向的第2方向的矩形狀的導電層的陶瓷生片的工序;
按照使相鄰的所述陶瓷生片的所述導電層分別沿著所述第1及第2方向錯開的方式層疊多個所述陶瓷生片來制作母塊的工序;和
將所述母塊,在層疊方向上相鄰的所述導電層的一方所位于而另一方所不位于的部分沿著所述第1方向進行截斷,并且在層疊方向上相鄰的所述導電層的另一方所位于而一方所不位于的部分沿著所述第2方向進行截斷,從而制作具有由在所述層疊方向上相鄰的所述導電層的一方形成的第1內部電極露出而由在所述層疊方向上相鄰的所述導電層的另一方形成的第2內部電極未露出的第1端面及第1側面、和所述第2內部電極露出而所述第1內部電極未露出的第2端面及第2側面的長方體狀的芯片的工序。
2.根據權利要求1所述的層疊陶瓷電容器的制造方法,其中,
在所述芯片的所述第1及第2側面上形成了絕緣層之后進行燒成。
3.根據權利要求2所述的層疊陶瓷電容器的制造方法,其中,
形成陶瓷層作為所述絕緣層。
4.根據權利要求3所述的層疊陶瓷電容器的制造方法,其中,
通過粘貼陶瓷生片來形成所述陶瓷層。
5.根據權利要求3所述的層疊陶瓷電容器的制造方法,其中,
通過涂敷陶瓷膏劑來形成所述陶瓷層。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的層疊陶瓷電容器的制造方法,其中,
通過切斷來進行所述母塊的截斷。
7.根據權利要求1~6中任一項所述的層疊陶瓷電容器的制造方法,其中,
使所述陶瓷生片的厚度大于所述導電層的厚度。
8.一種層疊陶瓷電容器,具備:
長方體狀的陶瓷胚體,具有沿著長度方向及寬度方向延伸的第1及第2主面、沿著長度方向及厚度方向延伸的第1及第2側面、和沿著寬度方向及厚度方向延伸的第1及第2端面;和
多個第1及第2內部電極,在所述陶瓷胚體的內部沿著厚度方向相互隔著間隔而配置,
所述第1內部電極露出于所述第1端面而未露出于所述第2端面,
所述第2內部電極露出于所述第2端面而未露出于所述第1端面,
所述第1內部電極的寬度方向的一側中的端部比所述第2內部電極的寬度方向的一側中的端部位于更靠寬度方向上的外側,而所述第1內部電極的寬度方向的另一側中的端部比所述第2內部電極的寬度方向的另一側中的端部位于更靠寬度方向上的內側,端部的厚度比端部以外的厚度更厚。
9.根據權利要求8所述的層疊陶瓷電容器,其中
所述第1及第2內部電極間的距離為所述第1及第2內部電極各自的厚度以上。
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