[發明專利]一種非制冷紅外探測器塔式橋墩及其制作方法

有效

• 申請號: 201310041331.5
• 申請日: 2013-02-04
• 公開（公告）號: CN103112817A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 甘先鋒;王宏臣;楊水長;孫瑞山
• 申請（專利權）人: 煙臺睿創微納技術有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/00;G01J5/22
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種非制冷紅外探測器塔式橋墩的制造方法，特征在于包括以下步驟：?

（1）電路（1）上旋涂聚酰亞胺犧牲層（3），退火后的厚度為1.0μm；?

（2）在犧牲層（3）上涂覆光刻膠，所述光刻膠的分辨率小于0.5μm；隨后以O₂作為主蝕刻氣體，CF₄，CHF₃，N₂，Ar作為輔助蝕刻氣體，進行各向異性蝕刻，蝕刻成直孔的支撐孔（4-1），然后進行濕法去膠，并對圓片進行甩干處理；?

（3）在蝕刻支撐孔（4-1）的圓片上濺射Ti或NiCr金屬（4），金屬厚度為50～200nm；?

（4）涂覆光刻膠，光刻膠的分辨率要求小于0.5μm，然后進行光刻，光刻后使用干法蝕刻Ti或NiCr；?

（5）重復上述工藝步驟，完成聚酰亞胺犧牲層（5）、支撐孔（6-1）和第二層Ti或NiCr金屬層（6），金屬厚度50～200nm；?

（6）沉積一層厚度為的低應力氮化硅薄膜，形成支撐層（7）；?

（7）在支撐層（7）上沉積熱敏薄膜然后使用光刻和蝕刻的方法完成熱敏層（8）的圖形；?

（8）在熱敏層（8）上沉積一層厚度為的低應力氮化硅薄膜介質層（9）；?

（9）通過光刻和蝕刻掉熱敏層（8）上面的介質層（9）得到接觸孔(11);蝕刻掉支撐孔內金屬層（6）上面的支撐層，介質層，得到通孔（10）；在通孔（10）和接觸孔（11）的所在的圓片上，進行電極金屬的濺射沉積；濺射沉積電極金屬前，需進行圓片的反濺，然后濺射得到?高質量的電極金屬（12）；?

（10）在整個圓片表面上沉積一層鈍化層（13），進行鈍化層（13）的光刻和蝕刻工藝，使每個像元分開，并對ASIC電路的鈍化塊(Pad)開孔，使金屬鋁鈍化塊(Pad)露出來；?

（11）然后進行最后的結構釋放。?

2.根據權利1要求的非制冷紅外探測器塔式橋墩制造方法，其特征在于，所述電極金屬（12）由Ti,NiCr,Cr,V等金屬中的一種或幾種構成，厚度為

3.根據權利1要求的非制冷紅外探測器塔式橋墩的制造方法，其特征在于，所述步驟（4）可用離子束方法進行蝕刻。?

4.根據權利要求1中的非制冷紅外探測器塔式橋墩的制造方法，其特征在于，所述步驟（6）可以增加沉積一層二氧化硅緩沖層膜后再沉積低應力氮化硅薄膜做支撐層(7)。?

5.一種非制冷紅外探測器塔式橋墩，包括ASIC電路，其特征在于，所述ASIC電路上設置有聚酰亞胺犧牲層（3）和電極塊（2），犧牲層（3）上有蝕刻支撐孔（4-1）；蝕刻支撐孔（4-1）所在的圓片上有濺射金屬層（4）；?

犧牲層（3）上設置有聚酰亞胺犧牲層（5），聚酰亞胺犧牲層（5）上有支撐孔（6-1），支撐孔（6-1）所在的圓片上有濺射金屬層（6）；?

金屬層（6）上有支撐層（7），支撐層（7）上有熱敏層（8），熱敏層（8）上有介質層（9），介質層（9）上有接觸孔（11）,支撐孔金屬層（6）上有通孔（10）；?

在通孔（10）和接觸孔（11）之間有電極金屬（12）連接，電極金屬（12）后沉積有鈍化層（13）。?

6.根據權利要求5要求的一種非制冷紅外探測器塔式橋墩，其特征在于，所述金屬層（4）和金屬層（6）的金屬為Ti或NiCr中的一種或兩種，厚度為50～200nm。?

7.根據權利要求5和6要求的一種非制冷紅外探測器塔式橋墩，其特征在于，所述支撐層（7）為氮化硅薄膜，厚度為或下面沉積一層二氧化硅緩沖層薄膜，厚度為所述氮化硅薄膜為低應力薄膜，應力為0±50Mpa。?

8.根據權利要求7要求的一種非制冷紅外探測器塔式橋墩，其特征在于，所述介質層（9）為低應力氮化硅薄膜，厚度為：

9.根據權利要求8要求的一種非制冷紅外探測器塔式橋墩，其特征在于，所述電極金屬（12）可以為Ti，NiCr，Cr或V中的一種或兩種，厚度為

10.根據權利要求5和6要求的一種非制冷紅外探測器塔式橋墩，其特征在于，所述鈍化層（13）為氮化硅，厚度為