[發明專利]一種超低壓荷電納濾膜的動態制備方法

有效

• 申請號: 201310041057.1
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN103071395A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 陳亦力;孟莎莎;李鎖定;文劍平;吳強
• 申請（專利權）人: 北京碧水源膜科技有限公司
• 主分類號: B01D69/12
• 分類號: B01D69/12;B01D71/78;B01D67/00
• 代理公司: 北京市商泰律師事務所 11255
• 代理人: 毛燕生

1.一種超低壓荷電納濾膜的動態制備方法，其特征在于，以光敏性聚合物材料制作的超濾膜為基膜，在運動狀態下進行紫外輻照接枝，引入一種或一種以上的極性單體，制得表面荷電的超低壓納濾膜。

2.根據權利要求1所述的一種超低壓荷電納濾膜的動態制備方法，其特征在于，所述的在運動狀態下進行紫外輻照接枝具體為基膜固定不動，紫外輻照光源固定在絲桿上，紫外輻照光源隨絲桿的往復運動對基膜進行動態紫外輻照接枝；或者紫外輻照光源固定，基膜在紫外輻照光源下直線運動；前述基膜和紫外輻照光源的相對運動速度為0.6～30m/h。

3.根據權利要求1所述的一種超低壓荷電納濾膜的動態制備方法，其特征在于，所述的光敏性聚合物材料為聚砜、聚醚砜、聚醚酮、含酚酞基的聚醚砜、含酚酞基的聚醚酮的一種或上述聚合物的共混或共聚物。

4.根據權利要求1所述的一種超低壓荷電納濾膜的動態制備方法，其特征在于，所述極性單體為荷正電單體，為含叔胺基烯類或者烯類銨鹽。

5.根據權利要求4所述的一種超低壓荷電納濾膜的動態制備方法，其特征在于，所述的荷正電單體為二甲基二烯丙基氯化銨、2-甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化銨、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、二甲氨基丙基甲基丙酰胺中的一種。

6.根據權利要求1所述的一種超低壓荷電納濾膜的動態制備方法，其特征在于，所述極性單體為荷負電單體，為含磺酸基或羧基的烯類單體。

7.根據權利要求6所述的一種超低壓荷電納濾膜的動態制備方法，其特征在于，所述荷負電單體為苯乙烯磺酸鈉、丙烯酸、甲基丙烯酸。

8.根據權利要求4-7中的任一權利要求所述的一種超低壓荷電納濾膜的動態制備方法，其特征在于，使用時，極性單體需稀釋，溶劑為水或者醇類，單體溶液的濃度為1%-70%質量比，其中醇類為乙醇或異丙醇。

9.根據權利要求1所述的一種超低壓荷電納濾膜的動態制備方法，其特征在于，所述的紫外輻照光源是一種高壓汞燈，功率在100W～4000W之間選擇，主波峰為365nm；紫外輻照光源的光強為4mW/cm²～50mW/cm²，輻照時間為1～30分鐘。

10.根據權利要求1所述的一種超低壓荷電納濾膜的動態制備方法，其特征在于，作為基膜的超濾膜的截留分子量為1萬～10萬。