[發明專利]有機薄膜場效應晶體管的制備方法

在審

• 申請號: 201310040862.2
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN103972392A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 潘革波;肖燕
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L51/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種有機薄膜場效應晶體管的制備方法，其特征在于，包括在襯底上制作有源層的工序，所述有源層是通過氣體噴印工藝將有機半導體化合物噴印到接收層上形成的；

其中，所述氣體噴印工藝的步驟包括：

S1、對有機半導體化合物進行加熱使之升華成氣霧；

S2、將所述氣霧噴射到接收層上。

2.根據權利要求1所述的有機薄膜場效應晶體管的制備方法，其特征在于：對有機半導體化合物進行加熱的溫度范圍為200℃~600℃。

3.根據權利要求1所述的有機薄膜場效應晶體管的制備方法，其特征在于：所述有機半導體化合物為稠環芳香族有機半導體化合物。

4.根據權利要求1所述的有機薄膜場效應晶體管的制備方法，其特征在于：所述有機半導體化合物為并苯類、金屬酞菁類、苝、苝酰亞胺衍生物、苝酐類，四氟基對苯鯤二甲烷金屬類、富勒烯中的一種或兩種以上的組合。

5.根據權利要求1所述的有機薄膜場效應晶體管的制備方法，其特征在于：所述有機薄膜場效應晶體管為底柵-頂接觸、底柵-底接觸、頂柵-底接觸、頂柵-頂接觸的結構中的一種。

6.根據權利要求1所述的有機薄膜場效應晶體管的制備方法，其特征在于：所述襯底的材質為玻璃、陶瓷、硅、塑料中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的有機薄膜場效應晶體管的制備方法，其特征在于：所述場效應晶體管包括源電極和漏電極，所述源電極和漏電極的材質為金、銀、銅、PEDOT:PSS聚合物中至少一種。

8.根據權利要求8所述的有機薄膜場效應晶體管的制備方法，其特征在于：所述源電極和漏電極的制作方法是氣溶膠印刷法、噴墨印刷法、磁控濺射、光刻或真空蒸鍍沉積法之一。