[發(fā)明專利]一種可優(yōu)化VCO相位噪聲性能的新型開關(guān)結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310040780.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-02-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103117744A | 公開(公告)日: | 2013-05-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李國(guó)儒;李云初;戴惜時(shí) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州云芯微電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03L7/099 | 分類號(hào): | H03L7/099 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 215332 江蘇省蘇州市昆山市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 優(yōu)化 vco 相位 噪聲 性能 新型 開關(guān) 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種可優(yōu)化VCO相位噪聲性能的新型開關(guān)結(jié)構(gòu),包括三個(gè)柵極共連并與控制電壓連接的第一MOS開關(guān)管、第二MOS開關(guān)管、第三MOS開關(guān)管;所述第二MOS開關(guān)管、第三MOS開關(guān)管的源極接地,漏極分別與第一MOS開關(guān)管的源極和漏極連接,其特征是,還包括兩個(gè)MOS電容管,兩個(gè)MOS電容管的柵極分別連接到所述第一MOS開關(guān)管的源極和漏極;兩個(gè)MOS電容管的源極共連至地;兩個(gè)MOS電容管的漏極均接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可優(yōu)化VCO相位噪聲性能的新型開關(guān)結(jié)構(gòu),其特征是,由上述各元件連接構(gòu)成的開關(guān)結(jié)構(gòu)作為一開關(guān)支路,多個(gè)所述開關(guān)支路并聯(lián)構(gòu)成開關(guān)陣列。
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H03L7-26 .應(yīng)用分子、原子或亞原子粒子的能級(jí)作為頻率基準(zhǔn)的
H03L7-07 ..應(yīng)用幾個(gè)環(huán)路,例如,用于產(chǎn)生冗余時(shí)鐘信號(hào)





