[發明專利]用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法有效
| 申請號: | 201310040710.2 | 申請日: | 2013-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN103969967A | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發明(設計)人: | 陳小娟;李運鋒;趙新;趙正棟 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備有限公司;上海微高精密機械工程有限公司 |
| 主分類號: | G03F9/00 | 分類號: | G03F9/00;G03F1/42;G03F1/44;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京連和連知識產權代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光輝 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 硅片 對準 級間串繞 測試 擬合 信號 處理 方法 | ||
1.一種用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法,其特征在于,包括:
步驟一:開始對準掃描,獲取光強和工件臺和掩模臺位置信息;
步驟二:根據所述工件臺和掩模臺位置信息計算工件臺的水平向相對位置;
步驟三:對光強和工件臺的水平向相對位置進行頻譜分析,獲取各級次光信號的頻譜特性;
步驟四:根據光強和工件臺的水平相對位置頻譜分析結果,分別建立奇次級光擬合模型和偶次級光擬合模型,對奇次級光擬合模型和偶次級光擬合模型進行信號擬合,得到奇次光和偶次光的信號表達式,并進行對準位置計算。
2.如權利要求1所述的用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法,其特征在于,所述步驟三中,對光強進行頻譜分析如下:
其中,n=1、2、3、……代表采樣信號各級次光;為基波分量;為各級次采樣信號中其他級次串擾后的光功率和自身的光功率;為各級次光信號頻譜分析后,各級次采樣信號中其他級次串擾信號和自身信號的幅值;為各級次光信號頻譜分析后,各級次采樣信號中其他級次串擾信號和自身信號的頻率;為各級次光信號頻譜分析后,各級次采樣信號中其他級次串擾信號和自身信號的初始相位。
3.如權利要求1所述的用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法,其特征在于,步驟四中對奇次級光擬合模型和偶次級光擬合模型進行信號擬合為最小二乘法模型擬合。
4.如權利要求1所述的用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法,其特征在于,所述步驟四中,奇次級光擬合模型為:
,其中,n為奇數1、3、5、7、……,DCn為第n級次光擬合模型直流分量,An為第n級次光余弦系數,Bn為第n級次光正弦系數,Pn為第n級次光周期;
偶次級光擬合模型為:
其中,n為偶數2、4、6、……,DCn為第n級次光擬合模型直流分量,A1n為第n級次光中含有的1次級光的余弦系數,A2n為第n級次光中含有的2次級光的余弦系數,ANn為第n級次光中含有的n次級光的余弦系數,B1n為第n級次光中含有的1次級光的正弦系數,B2n為第n級次光中含有的2次級光的正弦系數,BNn為第n級次光中含有的n次級光的正弦系數,P1為1級次光周期,P2為2級次光周期,Pn為n級次光周期。
5.如權利要求1所述的用于硅片對準級間串繞測試和擬合的信號處理方法,其特征在于,偶次級光的信號表達式為:
其中,n為偶數2、4、6、……,ANn為第n級次光中含有的n次級光的余弦系數, BNn為第n級次光中含有的n次級光的正弦系數,Pn為n級次光周期;
奇次光的信號表達式為:
其中,n為奇數1、3、5、7、……,DCn為第n級次光擬合模型直流分量,An為第n級次光余弦系數,Bn為第n級次光正弦系數,Pn為第n級次光周期。
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