[發(fā)明專利]一種漸變AlGaN層的制備方法及采用該方法得到的器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310040189.2
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN103117209A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設計）人: 張佰君;楊億斌
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/20
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 禹小明

1.一種漸變AlGaN層的制備方法，在生長漸變AlGaN層之前，首先在襯底上生長一層AlN緩沖層；生長漸變AlGaN層的方法為：在反應室中通入NH₃、三甲基鋁和三甲基鎵，其中通入的三甲基鋁流量逐漸減少，三甲基鎵流量逐漸增加；其特征在于，

三甲基鋁流量的函數(shù)為：

；

三甲基鎵流量的函數(shù)為：

；

其中，x為漸變AlGaN層生長的歸一化時間，m、n不同時為1。

2.根據(jù)權利要求1所述的漸變AlGaN層的制備方法，其特征在于，所述漸變AlGaN層的生長方法為金屬有機化學氣相沉積法、分子束外延法、化學分子束外延法或氫化物氣相外延法。

3.根據(jù)權利要求2所述的漸變AlGaN層的制備方法，其特征在于，所述漸變AlGaN層生長溫度為900?~?1100℃，生長壓強為50?~?200?mbar，V/III比為500?~?4000。

4.根據(jù)權利要求1所述的漸變AlGaN層的制備方法，其特征在于，所述漸變AlGaN層厚度為0.8?~?2μm。

5.根據(jù)權利要求1所述的漸變AlGaN層的制備方法，其特征在于，所述三甲基鋁的流量范圍為400~0sccm，三甲基鎵的流量范圍為0~200?sccm。

6.根據(jù)權利要求5所述的漸變AlGaN層的制備方法，其特征在于，所述三甲基鋁的流量范圍為100?~5sccm，所述三甲基鎵的流量范圍是3~15?sccm。

7.根據(jù)權利要求1所述的漸變AlGaN層的制備方法，其特征在于，所述AlN緩沖層和GaN薄膜的生長方法為金屬有機化學氣相沉積法、分子束外延法、化學分子束外延法或氫化物氣相外延法。

8.根據(jù)權利要求1所述的漸變AlGaN層的制備方法，其特征在于，所述AlN緩沖層的厚度范圍是50?~?300nm。

9.根據(jù)權利要求1所述的漸變AlGaN層的制備方法，其特征在于，所述襯底為Si襯底、SiC襯底或藍寶石襯底。

10.一種采用權利要求1-9所述的漸變AlGaN層的制備方法得到的器件，其特征在于，從下往上依次包括襯底、AlN緩沖層和漸變AlGaN層。