[發(fā)明專利]一種二極管選擇元件陣列結(jié)構(gòu)及制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310040155.3 | 申請日： | 2013-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN103972172A | 公開（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳秋峰;王興亞 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門博佳琴電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/822 | 分類號： | H01L21/822;H01L21/265;H01L27/082 |
| 代理公司： | 廈門市新華專利商標(biāo)代理有限公司 35203 | 代理人： | 李寧;唐紹烈 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市軟*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 二極管 選擇 元件 陣列 結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
1.一種二極管選擇元件陣列結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一，在P型半導(dǎo)體襯底上間隔形成淺隔離槽，淺隔離槽之間形成胚體柱，其中之一為P結(jié)胚體柱，其余為N結(jié)胚體柱；
步驟二，在淺隔離槽中填滿絕緣層；
步驟三，在P型半導(dǎo)體襯底上形成N阱；
步驟四，在N阱上層掩埋第一P型擴(kuò)散層；
步驟五，在位于第一P型擴(kuò)散層上層的N結(jié)胚體柱上形成N型擴(kuò)散層，N型擴(kuò)散層上層形成鎢插塞，鎢插塞與N型擴(kuò)散層連接形成二極管第一極；在位于第一P型擴(kuò)散層上層的P結(jié)胚體柱上延伸形成第二P型擴(kuò)散層，第二P型擴(kuò)散層上層形成鎢插塞，鎢插塞與第二P型擴(kuò)散層連接形成二極管第二極；N阱一側(cè)上層形成N型擴(kuò)散層，N型擴(kuò)散層上層形成鎢插塞，鎢插塞與N型擴(kuò)散層連接形成N阱的接觸點(diǎn)電極。
2.如權(quán)利要求1所述的一種二極管選擇元件陣列結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于：步驟三中，采用N阱掩模、曝光、顯影工藝把N阱區(qū)域打開；用離子植入方式把N型離子植入N阱區(qū)域，執(zhí)行N阱驅(qū)入形成N阱，使淺隔離槽之間的胚體柱稀釋為輕摻雜P型擴(kuò)散層或輕摻雜N型擴(kuò)散層。
3.如權(quán)利要求2所述的一種二極管選擇元件陣列結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于：N型離子為磷離子或砷離子的一種或兩種，劑量為1E12-1E14cm-2，能量分別為10Kev-200Kev或200Kev-800Kev。
4.如權(quán)利要求1所述的一種二極管選擇元件陣列結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于：步驟四中，采用掩埋、曝光、顯影工藝把第一P型擴(kuò)散區(qū)域打開；用離子植入方式把P型離子植入P型擴(kuò)散區(qū)域，形成第一P型擴(kuò)散層。
5.如權(quán)利要求4所述的一種二極管選擇元件陣列結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于：P型離子為硼離子，劑量為5E14-5E15 cm-2，能量為25Kev-150Kev。
6.如權(quán)利要求1所述的一種二極管選擇元件陣列結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于：在步驟二之后還包括在P型半導(dǎo)體襯底上形成深隔離槽步驟；深隔離槽的深度大于淺隔離槽的深度，在深隔離槽中填滿絕緣層，絕緣層的高度等于深隔離槽的高度；深隔離槽位于N阱的接觸點(diǎn)電極一側(cè)。
7.一種二極管選擇元件陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：在P型半導(dǎo)體襯底上間隔形成淺隔離槽，淺隔離槽中填滿絕緣層，使淺隔離槽之間形成胚體柱，其中之一為P結(jié)胚體柱，其余為N結(jié)胚體柱；在P型半導(dǎo)體襯底中心位置形成N阱，在N阱上層掩埋第一P型擴(kuò)散層；在位于第一P型擴(kuò)散層上層的N結(jié)胚體柱上形成N型擴(kuò)散層，N型擴(kuò)散層上層形成鎢插塞，鎢插塞與N型擴(kuò)散層連接形成二極管第一極；在位于第一P型擴(kuò)散層上層的P結(jié)胚體柱上延伸形成第二P型擴(kuò)散層，第二P型擴(kuò)散層上層形成鎢插塞，鎢插塞與第二P型擴(kuò)散層連接形成二極管第二極；N阱一側(cè)上層形成N型擴(kuò)散層，N型擴(kuò)散層上層形成鎢插塞，鎢插塞與N型擴(kuò)散層連接形成N阱的接觸點(diǎn)電極。
8.如權(quán)利要求7所述的一種二極管選擇元件陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：在P型半導(dǎo)體襯底上還形成深隔離槽；深隔離槽的深度大于淺隔離槽的深度，在深隔離槽中填滿絕緣層，絕緣層的高度等于深隔離槽的高度；深隔離槽位于N阱的接觸點(diǎn)電極一側(cè)。
9.如權(quán)利要求7所述的一種二極管選擇元件陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：在P型半導(dǎo)體襯底上還形成邏輯電路，邏輯電路位于深隔離槽一側(cè)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
