[發明專利]納米復合導流電熱膜及其制備方法無效
| 申請號: | 201310039901.7 | 申請日: | 2013-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN103974471A | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發明(設計)人: | 趙東林 | 申請(專利權)人: | KMT納米科技(香港)有限公司 |
| 主分類號: | H05B3/34 | 分類號: | H05B3/34 |
| 代理公司: | 廣東國暉律師事務所 44266 | 代理人: | 李琪 |
| 地址: | 中國香港中環夏愨*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 復合 導流 電熱 及其 制備 方法 | ||
1.一種納米復合導流電熱膜,其特征在于,所述納米復合導流電熱膜包括一基材層,所述基材層上設置有一導流層,且所述導流層上面設置有一導電發熱層,而所述導電發熱層的上面兩端分別設有一電極。
2.如權利要求1所述的納米復合導流電熱膜,其特征在于,所述導電發熱層和電極的上面設置有一絕緣保護膜層。
3.一種納米復合導流電熱膜,其特征在于,所述納米復合導流電熱膜包括一基材層,所述基材層上設置有一導電發熱層,且所述導電發熱層上面設置有一導流層,而所述導流層的上面兩端分別設有一電極。
4.如權利要求3所述的納米復合導流電熱膜,其特征在于,所述導流層和電極的上面設置有一絕緣保護膜層。
5.如權利要求1-4任一項所述的納米復合導流電熱膜,其特征在于,所述納米復合導流電熱膜還設有圓形、方形或橢圓形的鏤空孔。
6.如權利要求5所述的納米復合導流電熱膜,所述基材層為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜層、聚酰亞胺薄膜層、聚丙烯薄膜層、聚乙烯薄膜層或聚氯乙烯薄膜層。
7.如權利要求5所述的納米復合導流電熱膜,其特征在于,所述導流層為氧化鋅透明導電膜、氧化銦透明導電膜、二氧化錫透明導電膜、碳系列導電油墨層、銀系列導電油墨層或銅系列導電油墨層。
8.如權利要求5所述的納米復合導流電熱膜,其特征在于,所述導電發熱層為碳晶系列導電發熱油墨層、銀系列導電發熱油墨層或銅系列導電發熱油墨層。
9.一種權利要求1所述的納米復合導流電熱膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)在基材層的表面上以蒸鍍法或印刷法設置一厚度均勻,電阻均勻的導流層;
2)在所述導流層的上面以印刷法或者噴涂法設置一導電發熱層;
3)在所述導電發熱層上面兩端制作電極。
10.如權利要求9所述的制備方法,其特征在于,還包括在所述導電發熱層和裝好電極的上面設置絕緣保護膜層的步驟。
11.一種權利要求3所述的納米復合導流電熱膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)在基材層的表面上以印刷法或者噴涂法設置一導電發熱層;
2)在所述導電發熱層的上面以蒸鍍法或印刷法設置一厚度均勻,電阻均勻的導流層;
3)在所述導流層上面兩端制作電極。
12.如權利要求11所述的制備方法,其特征在于,還包括在所述導流層和裝好電極的上面設置絕緣保護膜層的步驟。
13.如權利要求9-12任一項所述的制備方法,其特征在于,還包括在所述納米復合導流電熱膜上設置圓形、方形或橢圓形的鏤空孔的步驟。
14.如權利要求13所述的制備方法,其特征在于,所述導流層的電阻率為1×10-6~1×10-1Ωcm。
15.如權利要求13所述的制備方法,其特征在于,所述導電發熱層的電阻大于等于導流層的電阻。
16.如權利要求13所述的制備方法,其特征在于,步驟2)所述印刷法為絲網印刷法或凹版印刷法。
17.如權利要求13所述的制備方法,其特征在于,步驟3)所述電極通過銀漿、銅漿印刷的方法制得。
18.如權利要求13所述的制備方法,其特征在于,步驟3)所述電極為通過先印刷一層導電漿,然后在該導電漿上復合一層薄銅帶而制得,其中所述導電漿為銀漿或銅漿。
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