[發(fā)明專利]同軸提取長(zhǎng)脈沖相對(duì)論返波振蕩器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310039900.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-02-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103137399A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葛行軍;張軍;靳振興;樊玉偉;賀軍濤;楊建華;鐘輝煌;張建德 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)人民解放軍國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01J25/46 | 分類號(hào): | H01J25/46;H01J23/26;H01J23/027 |
| 代理公司: | 國(guó)防科技大學(xué)專利服務(wù)中心 43202 | 代理人: | 李振 |
| 地址: | 410073 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 同軸 提取 脈沖 相對(duì)論 振蕩器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及高功率微波技術(shù)領(lǐng)域的微波源器件,尤其是一種同軸提取長(zhǎng)脈沖相對(duì)論返波振蕩器RBWO(Relativistic?Backward-Wave?Oscillator)。
背景技術(shù)
近年來(lái),高功率微波(通常指峰值功率大于100MW、頻率在1~300GHz之間的電磁波)在眾多領(lǐng)域中的誘人前景引起了許多國(guó)家的廣泛關(guān)注和大量研究投入,并已取得極大的技術(shù)進(jìn)步。目前,已經(jīng)提出的高功率微波應(yīng)用多種多樣:高功率微波定向能武器、衛(wèi)星和空間平臺(tái)供能、小型深空探測(cè)器的發(fā)射、軌道飛行器高度改變推進(jìn)系統(tǒng)、電子高能射頻加速器、材料加工與處理等。
作為高功率微波系統(tǒng)的核心器件,高功率微波源利用強(qiáng)流相對(duì)論電子束與器件內(nèi)部腔體的諧振模式相互作用,進(jìn)而輻射高功率微波。提高高功率微波源的單脈沖能量及平均功率水平是技術(shù)高功率微波領(lǐng)域始終追求的目標(biāo),通常可以通過(guò)提高器件峰值功率、重復(fù)頻率和脈沖寬度三方面來(lái)實(shí)現(xiàn)。上世紀(jì)九十年代,在經(jīng)歷了高功率微波發(fā)展的鼎盛時(shí)期后,人們意識(shí)到單一高功率微波源的峰值功率水平很難大幅度提高,而重復(fù)頻率運(yùn)行頻率要達(dá)到或超過(guò)kHz水平也非常困難。因此,延長(zhǎng)輸出微波的脈沖寬度成為高功率微波研究領(lǐng)域提高器件單脈沖能量和平均功率水平的重要手段。
研究長(zhǎng)脈沖RBWO具有代表性的是國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)設(shè)計(jì)的器件【Jun?Zhang,Zhen-Xing?Jin,Jian-Hua?Yang,Hui-Huang?Zhong,Ting?Shu,Jian-De?Zhang,Bao-Liang?Qian,Cheng-Wei?Yuan,Zhi-Qiang?Li,Yu-Wei?Fan,Sheng-Yue?Zhou,and?Liu-Rong?Xu.Recent?Advance?in?Long-Pulse?HPM?Sources?With?Repetitive?Operation?in?S-,C-,and?X-Bands.IEEE?Transactions?on?Plasma?Science,2011,Vol.39,No.6,pp.1438-1445】(以下稱為現(xiàn)有技術(shù)1)。該結(jié)構(gòu)由陰極座、陰極、陽(yáng)極外筒、截止頸、慢波結(jié)構(gòu)、錐形波導(dǎo)、輸出波導(dǎo)以及螺線管磁場(chǎng)組成,整個(gè)結(jié)構(gòu)關(guān)于中心軸線旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。為了敘述方便,下文中將沿軸線方向上靠近陰極座的一側(cè)稱為左端,遠(yuǎn)離陰極座的一側(cè)稱為右端。其中慢波結(jié)構(gòu)由5個(gè)慢波葉片組成,每個(gè)慢波葉片的內(nèi)表面均是梯形結(jié)構(gòu),左側(cè)4個(gè)慢波葉片完全相同,第5個(gè)慢波葉片具有較大的最大外半徑,5個(gè)慢波葉片的長(zhǎng)度L1相同。輸出波導(dǎo)為內(nèi)半徑為R7的圓波導(dǎo),利用波導(dǎo)內(nèi)壁收集殘余電子。該器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,有利于高功率微波的穩(wěn)定輸出,并且器件采用較大半徑的輸出波導(dǎo)收集殘余電子,降低了收集處電子的密度,減少了因電子轟擊輸出波導(dǎo)內(nèi)壁而產(chǎn)生的二次電子的數(shù)量,進(jìn)而削弱了等離子體對(duì)微波產(chǎn)生的影響,有利于實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)脈沖運(yùn)行。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,微波輸出功率達(dá)到1GW,脈寬100ns,頻率為3.6GHz。但是該器件功率轉(zhuǎn)換效率較低,僅為20%,低于常規(guī)RBWO的30%左右的功率轉(zhuǎn)換效率。輸出同樣功率的微波,較低功率轉(zhuǎn)換效率要求脈沖驅(qū)動(dòng)源注入更高的電功率,故對(duì)脈沖驅(qū)動(dòng)源的驅(qū)動(dòng)能力提出較高要求,不利于其結(jié)構(gòu)的緊湊化。因此,該技術(shù)方案不能實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)脈沖RBWO的高效率運(yùn)行,不利于實(shí)現(xiàn)高功率微波系統(tǒng)的小型化和緊湊化。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)人民解放軍國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué),未經(jīng)中國(guó)人民解放軍國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310039900.2/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01J 放電管或放電燈
H01J25-00 渡越時(shí)間管,如速調(diào)管、行波管、磁控管
H01J25-02 .在調(diào)制區(qū)調(diào)制電子注的速度或密度,隨后在感應(yīng)區(qū)放出能量,上述兩個(gè)區(qū)域與一個(gè)或一個(gè)以上諧振腔相連的管子
H01J25-34 .行波管;在空間間隙處產(chǎn)生行波的管
H01J25-50 .磁控管,即有一磁系統(tǒng)的管子,該磁系統(tǒng)產(chǎn)生與E場(chǎng)正交的H場(chǎng)
H01J25-61 .混合管,即由速調(diào)管部分和行波管部分組成的管
H01J25-62 .Strophortons管,即有與E場(chǎng)正交的H場(chǎng)并有復(fù)反射作用的管





