[發(fā)明專利]銅互連微柱力學(xué)性能原位壓縮試樣及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310039874.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-02-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103175718A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 汪紅;王昭瑜;程萍;丁桂甫;顧挺;王慧穎;張叢春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N1/28 | 分類號(hào): | G01N1/28;G01N3/02 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭國(guó)中 |
| 地址: | 200240 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 互連 力學(xué)性能 原位 壓縮 試樣 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及的是一種微測(cè)試技術(shù)的壓縮試樣及其制備方法,具體說(shuō),涉及一種用于模擬TSV銅互連材料力學(xué)性能測(cè)試的原位壓縮試樣及其制備方法。
背景技術(shù)
TSV(Through?Silicon?Vias,硅通孔)疊層互連技術(shù),不僅可以提高三維集成度,而且其短距離互連的優(yōu)勢(shì)可以降低互連延遲,是微電子技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要方向。由于TSV中的銅互連材料,其制備工藝與結(jié)構(gòu)尺寸與宏觀的塊體銅材料不同,所以材料的屈服強(qiáng)度、斷裂強(qiáng)度,楊氏模量等基本力學(xué)特性和宏觀材料相比,存在明顯的差異。
PDMS是一種常見(jiàn)的熱塑性彈性體,具有很好的圖形復(fù)制性。是一種很柔軟的材料,其楊氏模量比較小,容易受壓變形。PDMS薄膜彈性好,強(qiáng)度高,易于成型,且表面能低,所以成膜時(shí)容易從模具上取下,不對(duì)模具造成破壞。故PDMS已廣泛應(yīng)用于MEMS領(lǐng)域,如中國(guó)專利CN201010263850.2中提出了一種基于PDMS薄膜結(jié)構(gòu)的MEMS寬頻壓電能量采集器,即將PDMS作為結(jié)構(gòu)薄膜,感受外界振動(dòng)從而產(chǎn)生激勵(lì)輸出電壓的。本發(fā)明是利用了PDMS薄膜的高強(qiáng)度和良好的彈性,將PDMS作為制備金屬柱的模具。
現(xiàn)有的薄膜力學(xué)性能測(cè)試大多基于納米壓痕方法和薄膜單軸拉伸方法,而沒(méi)有用微壓縮的方法來(lái)測(cè)試材料的力學(xué)特性。納米壓痕是通過(guò)納米硬度測(cè)試過(guò)程中加載-卸曲線得出試樣力學(xué)參數(shù)的方法,是一種公知的方法,但無(wú)法獲得材料的斷裂強(qiáng)度等參數(shù)。
薄膜單軸拉伸方法試樣制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單,測(cè)試數(shù)據(jù)易于獲取,如中國(guó)專利ZL200710047682.1中提出了一種用于薄膜力學(xué)性能測(cè)試的單軸微拉伸試件(公開(kāi)號(hào)為101149317A),該發(fā)明介紹了一種力學(xué)性能測(cè)試技術(shù)的用于薄膜力學(xué)性能測(cè)試的單軸微拉伸試件,但薄膜單軸拉伸方法其拉伸方向與電鍍層生長(zhǎng)方向垂直,無(wú)法獲得TSV銅材料原位的力學(xué)特性參數(shù)。在沒(méi)有詳細(xì)的微尺度、原位的銅材料力學(xué)特性參數(shù)背景下,進(jìn)行銅TSV結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和模擬仿真,必然引用宏觀塊體銅材料的力學(xué)參數(shù),使得TSV銅互連結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)存在一定的可靠性問(wèn)題,有礙產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程。
而原位拉伸試樣制備工藝和測(cè)試方法比較困難,如申請(qǐng)?zhí)枮?01210050952.5的發(fā)明專利,該專利申請(qǐng)中提出一種用于TSV銅互連材料力學(xué)性能測(cè)試的原位拉伸試樣,但由于原位拉伸試樣需要上下兩個(gè)固定端部分,且它們與原位拉伸試樣部分在垂直方向上,因此不易制備。并且由于試樣部分的尺寸很小,在測(cè)試過(guò)程中不易將兩個(gè)固定端同時(shí)夾持,加大了測(cè)試的難度。
公開(kāi)號(hào)為102768148A的中國(guó)專利申請(qǐng),該專利提供了一種用于TSV銅互連材料力學(xué)性能測(cè)試的原位壓縮試樣,所述試樣包括試樣部分和用于固定試樣的固定端,所述的試樣部分是在硅通孔中形成的圓形金屬柱;所述試樣部分在所述固定端的上端部分。但是該專利試樣是采用常規(guī)技術(shù)制備,在硅通孔中形成的圓形金屬柱,不容易實(shí)現(xiàn),且刻蝕硅時(shí)會(huì)對(duì)微柱產(chǎn)生損傷影響,從而導(dǎo)致力學(xué)性能測(cè)試準(zhǔn)確性問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的是提供一種銅互連微柱力學(xué)性能原位壓縮試樣及其制備方法,該試樣只需一個(gè)固定端,工藝方面更易于實(shí)現(xiàn),且測(cè)試時(shí)只需將一端固定,因此更易于試樣力學(xué)性能的準(zhǔn)確測(cè)試。
根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種銅互連微柱力學(xué)性能原位壓縮試樣的制備方法,為了完整提取互連孔金屬柱作為試樣部分,用PDMS作為電鍍柱的模板基底。即圖形化PDMS之后,電鍍金屬于PDMS孔中,固化處理之后直接將PDMS剝下,釋放金屬柱。具體地,所述制備方法包括如下步驟:
(a)在玻璃片上濺射一層厚度為0.2-0.5微米的鈦種子層。
(b)在種子層上電鍍一層總厚度為200-300微米的(鎳或者銅或者鎳銅交替)金屬層;
(c)旋涂一層厚度為50-200微米的負(fù)膠;
(d)RIE刻蝕負(fù)膠之后,電鍍鎳于刻蝕出的直徑5-50微米,深度為50-200微米的孔中;
(e)去掉光刻膠、種子層,釋放出以步驟b制得的金屬層為基底的金屬柱,該金屬柱即步驟d電鍍得到的鎳柱;
(f)在步驟e制備得到的金屬柱及其金屬層基底上面旋涂一層PDMS,進(jìn)行固化處理;
(g)直接將PDMS從鎳柱上剝離下來(lái);
(h)在PDMS上先濺射一層厚度為0.15-0.25微米的鈦種子層,再濺射一層厚度為0.5-0.8微米的銅種子層;
(i)在步驟h所述的銅種子層上電鍍銅,形成高深寬比的銅互連微柱結(jié)構(gòu);
(j)將PDMS從銅柱上剝離下來(lái),釋放銅柱。
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