[發明專利]一種AMOLED面板像素電路的版圖及其制作方法有效
| 申請號: | 201310039732.7 | 申請日: | 2013-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN103117292A | 公開(公告)日: | 2013-05-22 |
| 發明(設計)人: | 郎豐偉;周剛;柴智 | 申請(專利權)人: | 四川虹視顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 周永宏 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 amoled 面板 像素 電路 版圖 及其 制作方法 | ||
1.一種AMOLED面板像素電路的版圖,包括RGB條狀子像素、開關晶體管、驅動晶體管、掃描線、數據線、電源線、存儲電容和有機發光二極管;
其特征在于,所述掃描線在像素電路版圖中沿條狀子像素長邊方向分布,數據線和電源線在像素電路版圖中沿條狀子像素短邊方向分布,有機發光二極管OLED的有機材料蒸鍍區域沿條狀子像素短邊方向加寬,長邊方向不變。
2.根據權利要求1所述的一種AMOLED面板像素電路的版圖,所述開關晶體管為“匚”形結構。
3.一種權利要求1所述的AMOLED面板像素電路的版圖制作方法,其特征在于包括以下步驟:
步驟1:在玻璃基板的氧化物緩沖層上制作有源層圖案,具體方法是在形成氧化物緩沖層后形成非晶硅薄膜,之后再蒸鍍Capping?Layer,然后蒸鍍Ni并進行預處理,再形成多晶硅薄膜,直到形成有源層圖案;其中,有源層圖案中的開關晶體管T21圖案為“匚”形;
步驟2:在蒸鍍柵極絕緣層和柵極金屬層后,對柵極金屬層施行濕法蝕刻,之后對柵極絕緣層進行干法蝕刻,形成柵極層圖案,在本步驟中形成了沿條狀子像素長邊方向分布的掃描線;
步驟3:在步驟2形成柵極層后,涂布絕緣的ILD膜,之后通過VIA1工藝,留出接觸孔;
步驟4:蒸鍍METAL層,通過步驟3留下的接觸孔與ACT及Gate層連接,完成像素驅動電路與外部電源和數據線的連接,并在像素內部將開關管的漏極與驅動管的柵極相連同時形成像素驅動電路的存儲電容,在本步驟中形成了沿條狀子像素短邊方向分布的數據線和電源線;
步驟5:為了更好保護底層的TFT和金屬線,在步驟4后將形成鈍化層,然后在Passivation?Layer上打孔作為驅動管得漏極D與OLED正極的連接孔;
步驟6:完成OLED透明陽極(IZO)的制作,并通過步驟5留下的接觸孔與驅動管漏極D相連;
步驟7:采用絕緣樹脂涂布面板,然后刻蝕僅留出OLED部分進行后續的有機材料蒸鍍,在本步驟中,有機材料蒸鍍區沿條狀子像素短邊方向擴展并占據了原本沿條狀子像素長邊方向分布的電源線占據的像素空間,使有機材料蒸鍍區的沿條狀子像素長邊方向邊沿延伸至沿條狀子像素長邊方向分布的掃描線Vscan和所在子像素的邊沿。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





