[發明專利]微波放射機構和表面波等離子體處理裝置有效
| 申請號: | 201310039655.5 | 申請日: | 2013-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN103227089A | 公開(公告)日: | 2013-07-31 |
| 發明(設計)人: | 池田太郎;長田勇輝 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微波 放射 機構 表面波 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種微波放射機構,其在利用在腔室內形成表面波等離子體進行等離子體處理的等離子體處理裝置中,將由微波生成機構生成的微波放射到腔室內,所述微波放射機構的特征在于,包括:
傳送路徑,其具有呈筒狀的外側導體和同軸地設置在所述外側導體中的內側導體,該傳送路徑傳送微波;
天線,其將在所述微波傳送路徑中傳送來的微波經由縫隙放射到所述腔室內;
電介質部件,其使從所述天線放射的微波透過,在其表面形成表面波;和
直流電壓施加部件,其對由所述表面波生成表面波等離子體的等離子體生成區域施加正的直流電壓,
所述直流電壓施加部件對所述等離子體生成區域施加正的直流電壓,使得所述表面波等離子體擴散。
2.如權利要求1所述的微波放射機構,其特征在于:
所述直流電壓施加部件為插入到所述等離子體生成區域的直流電壓施加探針。
3.如權利要求1或2所述的微波放射機構,其特征在于:
通過控制對所述直流電壓施加部件施加的直流電壓,來控制所述表面波等離子體的擴散。
4.如權利要求1或2所述的微波放射機構,其特征在于:
還具有使所述腔室內的負載的阻抗與所述微波生成機構的特性阻抗匹配的調諧器,所述調諧器具有:設置于所述微波傳送路徑的所述外側導體和所述內側導體之間,沿所述內側導體的長度方向能夠移動的由電介質構成的芯子;和使所述芯子移動的驅動機構。
5.一種表面波等離子體處理裝置,其特征在于,包括:
收納被處理基板的腔室;
向所述腔室內供給氣體的氣體供給機構;
生成微波的微波生成機構;和
將由所述微波生成機構生成的微波放射到所述腔室內的多個微波放射機構,
所述微波放射機構包括:
傳送路徑,其具有呈筒狀的外側導體和同軸地設置于所述外側導體中的內側導體,該傳送路徑傳送微波;
天線,其將在所述微波傳送路徑中傳送來的微波經由縫隙放射到所述腔室內;和
電介質部件,使從所述天線放射的微波透過,在其表面形成表面波,
所述表面波等離子體處理裝置利用從所述多個微波放射機構放射的微波在所述腔室內生成表面波等離子體,對被處理體實施等離子體處理,
所述多個微波放射機構的至少之一具有對由所述表面波生成表面波等離子體的等離子體生成區域施加正的直流電壓的直流電壓施加部件,
所述直流電壓施加部件對所述等離子體生成區域施加正的直流電壓,使得所述表面波等離子體擴散。
6.如權利要求5所述的表面波等離子體處理裝置,其特征在于:
所述直流電壓施加部件為插入到所述等離子體生成區域的直流電壓施加探針。
7.如權利要求5或6所述的表面波等離子體處理裝置,其特征在于:
通過控制對所述直流電壓施加部件施加的直流電壓,來控制所述表面波等離子體的擴散。
8.如權利要求5或6所述的表面波等離子體處理裝置,其特征在于:
在所述微波放射機構的兩個以上分別設置有所述直流電壓施加部件,所述直流電壓施加部件分別獨立地被施加電壓,獨立地對表面波等離子體的擴散進行控制。
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