[發明專利]一種激光光伏電池及其制作方法

有效

• 申請號: 201310039325.6
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103123923A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 趙春雨;董建榮;于淑珍;趙勇明;李奎龍;孫玉潤;曾徐路;楊輝
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L27/142
• 分類號: H01L27/142;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種激光光伏電池，包括隔離槽，該隔離槽將所述的光伏電池分隔成多個電池單元，電池單元之間串聯連接，其特征在于：所述的隔離槽的內壁表面上依次形成有聚酰亞胺層、介質膜層和金屬遮光層，所述的光伏電池包括依次形成于半絕緣襯底上的P型導電層、P/N結電池、N型窗口層和N型接觸層，所述的隔離槽分別貫穿所述N型接觸層、N型窗口層、P/N結電池和P型導電層。

2.根據權利要求1所述的激光光伏電池，其特征在于：所述的光伏電池還包括位于所述P型導電層和P/N結電池之間的勢壘層。

3.根據權利要求2所述的激光光伏電池，其特征在于：所述勢壘層為P型的AlGaAs((Al)GaInP)。

4.根據權利要求2所述的激光光伏電池，其特征在于：所述的P/N結電池包括依次形成于所述勢壘層上的P型吸收層和N型吸收層。

5.根據權利2至4任一所述的激光光伏電池，其特征在于：所述的半絕緣襯底、P型導電層、以及N型接觸層的材料均為GaAs，所述P/N結電池為GaAs電池，所述N型窗口層的材料為Al_xGa_1-xAs(x≥0.2)或Ga_0.51In_0.49P。

6.根據權利要求1所述的激光光伏電池，其特征在于：所述介質膜層的材質為SiN?或SiO₂。

7.根據權利要求1所述的激光光伏電池，其特征在于：所述聚酰亞胺層的表面被所述的介質膜層完全覆蓋，所述的金屬遮光層與所述的接觸層之間絕緣。

8.權利要求1至7任一所述的激光光伏電池的制作方法，其特征在于，包括：

（1）在半絕緣襯底上生長P型導電層；

（2）在上述P型導電層上生長勢壘層；

（3）在上述勢壘層上依次生長P型吸收層和N型吸收層形成P/N結電池；

（4）在上述P/N結電池上生長N型窗口層；

（5）在上述N型窗口層上生長N型接觸層用作歐姆接觸；

（6）依次刻蝕N型接觸層、N型窗口層、P/N結電池、勢壘層、P型導電層直至露出半絕緣襯底或部分刻蝕半絕緣襯底以形成隔離槽；

（7）在隔離槽中依次采用聚酰亞胺層、介質膜層和金屬遮光層形成的三層結構對隔離槽底部及其側壁進行覆蓋；

（8）制備正電極、負電極、減反射層以及電極引線，獲得目標產品。

9.根據權利要求8所述的激光光伏電池的制作方法，其特征在于：所述導電層為P型摻雜濃度1×10^18?cm^-3以上的GaAs導電層；所述勢壘層為摻雜濃度1×10^18?cm^-3以上的P型AlGaAs((Al)GaInP)?勢壘層；所述N型窗口層為摻雜濃度在1×10^18?cm^-3以上的窗口層；所述N型接觸層為摻雜濃度在2×10^18?cm^-3以上的GaAs接觸層。

10.根據權利要求8所述的激光光伏電池的制作方法，其特征在于：所述步驟（8）中，依次刻蝕N型接觸層、N型窗口層、P/N結電池、P型勢壘層，直至露出P型導電層以形成正電極窗口，而后再經該正電極窗口于P型導電層上制備正電極，在N型接觸層上制備負電極。