[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310039178.2
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103972419A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;王平;黃輝;張振華
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述電荷產(chǎn)生層包括層疊于所述第一電子傳輸層表面的第一金屬硫化物摻雜層、形成于所述第一金屬硫化物摻雜層表面的金屬層及形成于所述金屬層表面的第二金屬硫化物摻雜層，所述第一金屬硫化物摻雜層的材料包括金屬硫化物及摻雜在所述金屬硫化物中的雙極性金屬氧化物，所述雙極性金屬氧化物選自三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩中的至少一種，所述金屬硫化物選自硫化鋅、硫化鎘、硫化鈣或硫化鎂中的至少一種，其中，所述雙極性金屬氧化物與所述金屬硫化物的質(zhì)量比為1:20～3:10，所述金屬層的材料選自銀、鋁、鉑或金中至少一種，所述第二硫化物摻雜層的材料包括金屬硫化物及摻雜在所述金屬硫化物中的金屬氧化物，所述金屬氧化物的材料選自五氧化二鉭、二氧化釩或五氧化二鈮中至少一種，所述金屬氧化物與所述金屬硫化物的質(zhì)量比為1:100～1:10。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一硫化物摻雜層的厚度為5nm~20nm，所述金屬層的厚度為1nm~10nm，所述第二硫化物摻雜層的厚度為1nm~10nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一空穴傳輸層及所述第二空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電子傳輸層及所述第二電子傳輸層的材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。

6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在陽極表面依次蒸鍍制備空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層；

在所述第一電子傳輸層表面蒸鍍制備第一金屬硫化物摻雜層，所述第一金屬硫化物摻雜層的材料包括金屬硫化物及摻雜在所述金屬硫化物中的雙極性金屬氧化物，所述雙極性金屬氧化物選自三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩中的至少一種，所述金屬硫化物選自硫化鋅、硫化鎘、硫化鈣或硫化鎂中的至少一種，其中，所述雙極性金屬氧化物與所述金屬硫化物的質(zhì)量比為1:20～3:10，蒸鍍在真空壓力為5×10^-3~2×10^-4Pa下進行，所述金屬硫化物及所述雙極性金屬氧化物分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，所述金屬硫化物的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s，所述雙極性金屬氧化物的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s；

在所述第一金屬硫化物層表面蒸鍍制備金屬層，所述金屬層的材料選自銀、鋁、鉑或金中至少一種，蒸鍍在真空壓力為5×10^-3~2×10^-4Pa下進行，所述金屬的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s；

在所述第金屬層表面蒸鍍制備第二金屬硫化物層，所述第二金屬硫化物摻雜層的材料包括金屬硫化物及摻雜在所述金屬硫化物中的金屬氧化物，所述金屬氧化物的材料選自五氧化二鉭、二氧化釩或五氧化二鈮中至少一種，所述金屬氧化物與所述金屬硫化物的質(zhì)量比為1:100～1:10，蒸鍍在真空壓力為5×10^-3~2×10^-4Pa下進行，所述金屬硫化物及所述金屬氧化物分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，金屬硫化物蒸鍍速率1nm/s~10nm/s，所述金屬氧化物的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s；及

在第二金屬硫化物層表面依次蒸鍍形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層、電子注入層及陰極。