[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310039163.6
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103972409A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;黃輝;陳吉星
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發光層、第一電子傳輸層、電荷產生層、第二空穴傳輸層、第二發光層、第二電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述電荷產生層包括層疊于所述第一電子傳輸層表面的n型摻雜層及形成于所述n型摻雜層表面的p型摻雜層，所述n型摻雜層的材料包括金屬及摻雜在所述金屬中的電子傳輸材料，所述p型摻雜層的材料包括金屬及摻雜在所述金屬中的三氯化鐵，所述金屬選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種，所述電子傳輸材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯苯基)-1,3,4-惡二唑及N-芳基苯并咪唑中的至少一種，所述n型摻雜層中所述電子傳輸材料與所述金屬的質量比為1:100~1:10，所述p型摻雜層中所述三氯化鐵與所述金屬的質量比為1:50~1:10。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述n型摻雜層的厚度為5nm~20nm，所述p型摻雜層的厚度為1nm~10nm。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一發光層及所述第二發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一空穴傳輸層及所述第二空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一電子傳輸層及所述第二電子傳輸層的材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。

6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在陽極表面依次蒸鍍制備空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發光層及第一電子傳輸層；

在所述第一電子傳輸層表面蒸鍍制備n型摻雜層，所述n型摻雜層的材料包括金屬及摻雜在所述金屬中的電子傳輸材料，所述金屬選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種，所述電子傳輸材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯苯基)-1,3,4-惡二唑及N-芳基苯并咪唑中的至少一種，所述n型摻雜層中所述電子傳輸材料與所述金屬的質量比為1:100~1:10，所述金屬及所述電子傳輸材料分別在兩個蒸發舟中進行蒸發，蒸鍍在真空壓力為5×10^-3~2×10^-4Pa下進行，所述金屬的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s，所述電子傳輸材料的蒸鍍速率為0.1nm/s~1nm/s；

在所述n型摻雜層表面蒸鍍制備p型摻雜層，所述p型摻雜層的材料包括金屬及摻雜在所述金屬中的三氯化鐵，所述金屬選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種，所述金屬及所述三氯化鐵分別在兩個蒸發舟中進行蒸發，蒸鍍在真空壓力為5×10^-3~2×10^-4Pa下進行，所述金屬的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s，所述三氯化鐵的蒸鍍速率為0.1nm/s~1nm/s；及

在p型摻雜層表面依次蒸鍍形成第二空穴傳輸層、第二發光層、第二電子傳輸層、電子注入層及陰極。

7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述第一發光層及所述第二發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

8.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述第一空穴傳輸層及所述第二空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種。