[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310038892.X
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103972418A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;黃輝;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

技術領域

本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發光器件的發光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道（HOMO）。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，并激發電子從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。然而，目前有機電致發光器件的發光效率較低。

發明內容

基于此，有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件及其制備方法。

一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發光層、第一電子傳輸層、電荷產生層、第二空穴傳輸層、第二發光層、第二電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述電荷產生層包括層疊于所述第一電子傳輸層表面的低功函數金屬摻雜層、形成于所述低功函數金屬摻雜層表面的金屬氧化物層及形成于所述金屬氧化物層表面的銅族氧化物摻雜層，所述低功函數金屬摻雜層的材料包括低功函數金屬及摻雜在所述低功函數金屬中的電子傳輸材料，所述低功函數金屬摻雜層中所述電子傳輸材料與所述低功函數金屬的質量比為1:100~3:10，所述低功函數金屬選自鈣、鐿、鎂及鋇中的至少一種，所述電子傳輸材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、8-羥基喹啉鋁、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯苯基)-1,3,4-惡二唑或2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲中的至少一種，所述金屬氧化物層的材料選自五氧化二鉭、五氧化二鈮及二氧化釩中的至少一種，所述銅族氧化物摻雜層的材料包括銅族氧化物及摻雜在所述銅族氧化物中的空穴傳輸材料，所述銅族氧化物摻雜層中所述空穴傳輸材料與所述銅族氧化物的質量比為1:200~1:5，所述銅族氧化物選自氧化銅、氧化銀及氧化亞銅中的至少一種，所述空穴傳輸材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述低功函數金屬摻雜層的厚度為5nm~20nm，所述金屬氧化物層的厚度為2nm~10nm，所述銅族氧化物摻雜層的厚度為1nm~20nm。

在其中一個實施例中，所述第一發光層及所述第二發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述第一空穴傳輸層及所述第二空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述第一電子傳輸層及所述第二電子傳輸層的材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。

一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

在陽極表面依次蒸鍍制備空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發光層及第一電子傳輸層；

在所述第一電子傳輸層表面蒸鍍制備低功函數金屬摻雜層，所述低功函數金屬摻雜層的材料包括低功函數金屬及摻雜在所述低功函數金屬中的電子傳輸材料，所述低功函數金屬摻雜層中所述電子傳輸材料與所述低功函數金屬的質量比為1:100~3:10，所述低功函數金屬選自鈣、鐿、鎂及鋇中的至少一種，所述電子傳輸材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、8-羥基喹啉鋁、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯苯基)-1,3,4-惡二唑或2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲中的至少一種；

在所述低功函數金屬摻雜層表面蒸鍍制備金屬氧化物層，所述金屬氧化物層的材料選自五氧化二鉭、五氧化二鈮及二氧化釩中的至少一種；