[發明專利]一種耐高溫四方結構的壓電陶瓷配方有效

申請號：	201310038780.4	申請日：	2013-01-31
公開（公告）號：	CN103073288A	公開（公告）日：	2013-05-01
發明（設計）人：	馬國陽	申請（專利權）人：	漢得利（常州）電子有限公司
主分類號：	C04B35/49	分類號：	C04B35/49
代理公司：	常州市維益專利事務所 32211	代理人：	何學成
地址：	213022 江蘇***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種耐高溫四方結構壓電陶瓷配方
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及集成電路元器件領域，特別的是涉及一種耐高溫四方結構的壓電陶瓷配方。

背景技術

隨著微電子技術的發展，集成電路愈趨向于小型化、薄型化，同時在生產規模上需要產品的批量化、自動化和高品質，在此大環境下，在電子組裝行業里目前最主流的即為表面貼裝技術，縮寫為SMT，為滿足SMT技術要求，對涉及集成電路上所有原器件均提出了更高的要求，用于此裝配技術工藝的壓電蜂鳴器，要求整個器件耐260℃/20～40s回流焊接。此壓電蜂鳴器主要由外殼、壓電振子、膠粘劑等組成，因此，壓電振子性能的優良決定了整個器件的性能。一般回流焊后，器件受高溫沖擊電性能將有一定幅度下降，究其根本，主要因為壓電陶瓷經高溫沖擊后，有一部分性能衰退所致，稱“退極化”現象。

壓電陶瓷是人工制造的多晶體壓電材料，研究顯示，構成壓電陶瓷最小的單位是“晶胞”，各原子構成最原始的晶胞，晶胞在空間無限延伸形成壓電晶粒。晶胞有多種形式，在“居里”溫度以上，壓電陶瓷存現立方晶胞；在“居里”溫度以下主要存現三方晶胞與四方晶胞。三方晶胞又稱菱面晶胞，其與四方晶胞最本質的差異在于“晶軸”之間的夾角，四方晶胞為90°，而三方晶胞不等于90°，從晶胞結構可以看出，三方晶胞處于“亞穩定態”。由于晶胞的中心離子位于非對稱中心，故晶胞存在“自發極化”效應，整個陶瓷晶體由很多個自發極化的晶胞構成，在某個區域內形成自發極化“疇”，稱電疇。原始的壓電陶瓷，整個晶疇雜亂分布，它們的極化效應相互抵消，呈顯電中性，所以此時壓電陶瓷不具有壓電性，只有在外加電場作用下，整個晶疇自發極化按電場方向排布，當拆除電場后，整個晶疇維持按電場方向排布，只是有輕微的回彈。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供一種能夠降低了回流焊前后性能差異，電容差異變化率僅為2%的四方結構的壓電陶瓷配方。

為實現上述目的，本發明采用如下技術方案實現：

一種耐高溫四方結構的壓電陶瓷配方，包括如下組分：

鈮銻-鋯鈦酸鉛三元系?????99.85～99.92wt%

穩定添加劑??????????????0.05～0.1wt%

玻璃添加劑??????????????0.03～0.06wt%

所述的鈮銻-鋯鈦酸鉛三元系，其分子式為：Pb_(1-x）Ba_x【（Nb_1/2Sb_1/2）_yZr_zTi_(1-y-z)】O₃；其中：x=0.05；y=0.05；z=0.48~0.5

所述的一種耐高溫四方結構的壓電陶瓷配方，包括如下優選組分：

鈮銻-鋯鈦酸鉛三元系?????99.86wt%

穩定添加劑??????????????0.08wt%

玻璃添加劑??????????????0.06wt%