[發(fā)明專(zhuān)利]PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310038717.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-01-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103247635A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙春雨;董建榮;于淑珍;趙勇明;李奎龍;孫玉潤(rùn);曾徐路;楊輝 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/142 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/142;H01L31/0352;H01L31/0693;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | pnp 結(jié)構(gòu) 激光 電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池,其特征在于:所述光伏電池包括依次形成于半絕緣襯底上反向P/N結(jié)、N型導(dǎo)電層、P/N結(jié)電池、P型窗口層和P型接觸層,所述反向P/N結(jié)包括依次形成于所述半絕緣襯底上的P型層和N型層,所述P/N結(jié)電池包括沿遠(yuǎn)離半絕緣襯底方向依次設(shè)置的N型吸收層和P型吸收層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池,其特征在于:還包括位于所述N型導(dǎo)電層和P/N結(jié)電池之間的勢(shì)壘層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池,其特征在于:所述勢(shì)壘層為N型的AlGaAs((Al)GaInP)。
4.根據(jù)權(quán)利1至3任一所述的PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池,其特征在于:所述的半絕緣襯底、P型層、N型層、N型導(dǎo)電層、P型吸收層、N型吸收層以及接觸層的材料均為GaAs。
5.根據(jù)權(quán)利1至5任一所述的PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池,其特征在于:所述窗口層的材料為P型的AlGaAs((Al)GaInP)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池,其特征在于:還包括隔離槽,所述隔離槽將所述光伏電池分隔成多個(gè)電池單元,電池單元之間串聯(lián)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池,其特征在于:所述的隔離槽分別貫穿所述接觸層、窗口層、P/N結(jié)電池、N型導(dǎo)電層和反向P/N結(jié)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池,其特征在于:還包括正電極和負(fù)電極,所述正電極形成于所述接觸層上,所述負(fù)電極與所述導(dǎo)電層接觸。
9.權(quán)利要求2所述的PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池的制備方法,其特征在于,包括:
(1)在半絕緣襯底上生長(zhǎng)P型層和N型層形成反向P/N結(jié);
(2)在上述N型層上依次生長(zhǎng)N型導(dǎo)電層,并在該N型導(dǎo)電層上生長(zhǎng)勢(shì)壘層;
(3)在上述N型勢(shì)壘層上依次生長(zhǎng)N型吸收層和P型吸收層形成P/N結(jié);
(4)在上述P/N結(jié)上生長(zhǎng)P型窗口層;
(5)在上述P型窗口層上生長(zhǎng)P型接觸層用作歐姆接觸;
(6)按照電池標(biāo)準(zhǔn)工藝,在由前述步驟形成的光伏電池基體上制備隔離槽、正電極、負(fù)電極、減反射層以及電極引線(xiàn),獲得目標(biāo)產(chǎn)品。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池的制備方法,其特征在于:所述導(dǎo)電層為N型摻雜濃度1×1018?cm-3以上的GaAs導(dǎo)電層;所述勢(shì)壘層為摻雜濃度1×1018?cm-3以上的N型AlGaAs((Al)GaInP)?勢(shì)壘層;所述P型窗口層為摻雜濃度在1×1018?cm-3以上的窗口層;所述P型接觸層為摻雜濃度在2×1018?cm-3以上的GaAs接觸層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池的制備方法,其特征在于:所述P型窗口層為AlxGa1-xAs(x≥0.2)或Ga0.51In0.49P。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池的制備方法,其特征在于:所述步驟(6)中,依次刻蝕P型接觸層、P型窗口層、P/N結(jié)電池、N型勢(shì)壘層、N型導(dǎo)電層和反向P/N結(jié)直至露出半絕緣襯底以形成隔離槽,而后在該隔離槽中填充絕緣材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的PNP結(jié)構(gòu)的激光光伏電池的制備方法,其特征在于:所述步驟(6)中,依次刻蝕P型接觸層、P型窗口層、P/N結(jié)電池、N型勢(shì)壘層,直至露出N型導(dǎo)電層以形成負(fù)電極窗口,而后再經(jīng)該負(fù)電極窗口于N型導(dǎo)電層上制備負(fù)電極,在P型接觸層上制備正電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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