[發明專利]PNP結構的激光光伏電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201310038717.0 | 申請日: | 2013-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN103247635A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發明(設計)人: | 趙春雨;董建榮;于淑珍;趙勇明;李奎龍;孫玉潤;曾徐路;楊輝 | 申請(專利權)人: | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | H01L27/142 | 分類號: | H01L27/142;H01L31/0352;H01L31/0693;H01L31/18 |
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| 地址: | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | pnp 結構 激光 電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種PNP結構的激光光伏電池,其特征在于:所述光伏電池包括依次形成于半絕緣襯底上反向P/N結、N型導電層、P/N結電池、P型窗口層和P型接觸層,所述反向P/N結包括依次形成于所述半絕緣襯底上的P型層和N型層,所述P/N結電池包括沿遠離半絕緣襯底方向依次設置的N型吸收層和P型吸收層。
2.根據權利要求1所述的PNP結構的激光光伏電池,其特征在于:還包括位于所述N型導電層和P/N結電池之間的勢壘層。
3.根據權利要求2所述的PNP結構的激光光伏電池,其特征在于:所述勢壘層為N型的AlGaAs((Al)GaInP)。
4.根據權利1至3任一所述的PNP結構的激光光伏電池,其特征在于:所述的半絕緣襯底、P型層、N型層、N型導電層、P型吸收層、N型吸收層以及接觸層的材料均為GaAs。
5.根據權利1至5任一所述的PNP結構的激光光伏電池,其特征在于:所述窗口層的材料為P型的AlGaAs((Al)GaInP)。
6.根據權利要求1所述的PNP結構的激光光伏電池,其特征在于:還包括隔離槽,所述隔離槽將所述光伏電池分隔成多個電池單元,電池單元之間串聯連接。
7.根據權利要求6所述的PNP結構的激光光伏電池,其特征在于:所述的隔離槽分別貫穿所述接觸層、窗口層、P/N結電池、N型導電層和反向P/N結。
8.根據權利要求1所述的PNP結構的激光光伏電池,其特征在于:還包括正電極和負電極,所述正電極形成于所述接觸層上,所述負電極與所述導電層接觸。
9.權利要求2所述的PNP結構的激光光伏電池的制備方法,其特征在于,包括:
(1)在半絕緣襯底上生長P型層和N型層形成反向P/N結;
(2)在上述N型層上依次生長N型導電層,并在該N型導電層上生長勢壘層;
(3)在上述N型勢壘層上依次生長N型吸收層和P型吸收層形成P/N結;
(4)在上述P/N結上生長P型窗口層;
(5)在上述P型窗口層上生長P型接觸層用作歐姆接觸;
(6)按照電池標準工藝,在由前述步驟形成的光伏電池基體上制備隔離槽、正電極、負電極、減反射層以及電極引線,獲得目標產品。
10.根據權利要求9所述的PNP結構的激光光伏電池的制備方法,其特征在于:所述導電層為N型摻雜濃度1×1018?cm-3以上的GaAs導電層;所述勢壘層為摻雜濃度1×1018?cm-3以上的N型AlGaAs((Al)GaInP)?勢壘層;所述P型窗口層為摻雜濃度在1×1018?cm-3以上的窗口層;所述P型接觸層為摻雜濃度在2×1018?cm-3以上的GaAs接觸層。
11.根據權利要求9所述的PNP結構的激光光伏電池的制備方法,其特征在于:所述P型窗口層為AlxGa1-xAs(x≥0.2)或Ga0.51In0.49P。
12.根據權利要求9所述的PNP結構的激光光伏電池的制備方法,其特征在于:所述步驟(6)中,依次刻蝕P型接觸層、P型窗口層、P/N結電池、N型勢壘層、N型導電層和反向P/N結直至露出半絕緣襯底以形成隔離槽,而后在該隔離槽中填充絕緣材料。
13.根據權利要求9所述的PNP結構的激光光伏電池的制備方法,其特征在于:所述步驟(6)中,依次刻蝕P型接觸層、P型窗口層、P/N結電池、N型勢壘層,直至露出N型導電層以形成負電極窗口,而后再經該負電極窗口于N型導電層上制備負電極,在P型接觸層上制備正電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





