[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310038638.X | 申請日: | 2013-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN103681746B | 公開(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金頭煥;洪日和;樸相河 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鈍化層 第一電極 有機發(fā)光顯示裝置 彩色濾光片 第二電極 覆蓋層 基板 有機層 覆蓋 制造 | ||
1.一種有機發(fā)光顯示裝置,包括:
基板;
第一鈍化層,形成在所述基板上;
至少一個彩色濾光片,形成在所述第一鈍化層上;
覆蓋層,用于覆蓋所述彩色濾光片;
第二鈍化層,形成在所述第一鈍化層上以圍繞所述覆蓋層;
第一電極,形成在所述第二鈍化層上并且僅覆蓋所述第二鈍化層的上表面的一部分;
第二電極,與所述第一電極相對;以及
有機層,設置在所述第一電極和所述第二電極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,
所述彩色濾光片是紅色濾光片、綠色濾光片以及藍色濾光片之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,還包括:
偏光膜,設置在所述基板的一面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,還包括:
黑矩陣,形成在所述第二鈍化層上,以區(qū)分光透射區(qū)域和光阻斷區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,還包括:
黑矩陣,形成在所述基板和所述第一鈍化層之間,以區(qū)分光透射區(qū)域和光阻斷區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,還包括:
像素限定膜,形成在所述第二鈍化層上,以區(qū)分像素區(qū)域和非像素區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,
所述彩色濾光片的厚度在1μm以上且5μm以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,
所述覆蓋層的厚度在1μm以上且10μm以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,
所述第一鈍化層和所述第二鈍化層包括SiO
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,
所述第二鈍化層的厚度在50nm以上且1000nm以下。
11.一種有機發(fā)光顯示裝置的制造方法,包括:
步驟a,提供基板;
步驟b,在所述基板上形成第一鈍化層;
步驟c,在所述第一鈍化層上形成至少一個的彩色濾光片;
步驟d,形成用于覆蓋所述彩色濾光片的覆蓋層;
步驟e,在所述第一鈍化層上形成第二鈍化層以圍繞所述覆蓋層;
步驟f,在所述第二鈍化層上形成第一電極,所述第一電極僅覆蓋所述第二鈍化層的上表面的一部分;
步驟g,在所述第一電極上形成有機層;以及
步驟h,在所述有機層上形成第二電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法,其特征在于,
在所述步驟b中,以SiO
在所述步驟e中,以SiO
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法,其特征在于,
在所述步驟e中,所述第二鈍化層的厚度在50nm以上且1000nm以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法,其特征在于,
在所述步驟c中,所述彩色濾光片的厚度在1μm以上且5μm以下。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星顯示有限公司,未經(jīng)三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310038638.X/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:除草組合物
- 下一篇:熱像控制裝置和熱像控制方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





