[發明專利]一種改性光纜繞線盤及其制備方法

有效

• 申請號: 201310038371.4
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN103289371A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 溫雪;張芬紅
• 申請（專利權）人: 中國移動通信集團安徽有限公司;合肥開爾納米能源科技股份有限公司
• 主分類號: C08L77/02
• 分類號: C08L77/02;C08K13/06;C08K9/04;C08K9/02;C08K7/10;B29B9/06;B29C45/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種改性光纜繞線盤材料，其特征在于其原料按質量百分比構成為：

2.根據權利要求1所述的改性光纜繞線盤材料，其特征在于所述改性納米氮化硅晶須是按以下方法改性后得到的改性納米氮化硅晶須：

1)將納米氮化硅晶須浸入質量濃度≥60％的硝酸溶液中，所述硝酸溶液與所述納米氮化硅晶須的質量比大于3∶1，于80-125℃反應12-72小時，反應結束后用蒸餾水洗滌至中性，真空干燥后得到羧基化納米氮化硅；

2)將二氯亞砜與所述羧基化納米氮化硅混合，其中二氯亞砜的質量不少于所述羧基化納米氮化硅質量的四倍，于50-90℃反應12-48小時，反應結束后用無水四氫呋喃洗滌至中性，真空干燥后得到酰氯化納米氮化硅；

3)將所述酰氯化納米氮化硅、十八烷基胺和苯以質量比1∶(5-15)∶(5-20)的比例混合，于50-80℃反應12-36小時，反應結束后用無水四氫呋喃洗滌至中性，真空干燥后得到改性納米氮化硅晶須。

3.根據權利要求2所述的改性光纜繞線盤材料，其特征在于：

步驟1)中硝酸溶液的質量濃度為60-68％，反應溫度為100-125℃，反應時間為24-72小時。

4.根據權利要求2或3所述的改性光纜繞線盤材料，其特征在于：

所述硝酸溶液與所述納米氮化硅晶須的質量比為4.5-7∶1。

5.根據權利要求2所述的改性光纜繞線盤材料，其特征在于：

步驟2)中所述二氯亞砜與所述羧基化納米氮化硅的質量比為4.5-10∶1，反應溫度70-90℃，反應時間24-48小時。

6.根據權利要求2所述的改性光纜繞線盤材料，其特征在于：

步驟3)中反應溫度為60-80℃，反應時間24-36小時。

7.根據權利要求1所述的改性光纜繞線盤材料，其特征在于：

所述抗紫外老化劑為季戊四醇硬脂酸酯。

8.根據權利要求1所述的改性光纜繞線盤材料，其特征在于：

所述脫模劑為納米氧化鈦。

9.一種權利要求1或2所述的改性光纜繞線盤的制備方法，其特征在于：

a、將尼龍6和改性納米氮化硅晶須攪拌混合均勻，得到組份A；

b、將抗紫外老化劑和脫模劑加入白油中，抗紫外老化劑和脫模劑的總質量為白油質量的50-80％，攪拌混合均勻得到組份B；

c、將組份A和組份B混合并通過雙螺桿擠塑機擠出造粒，將擠出的粒料于105-120℃干燥5-10小時后注塑成型。