[發(fā)明專利]一種非極性p-NiO/n-ZnO異質(zhì)結構及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310038167.2
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103137774A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 張宏海;呂斌;潘新花;葉志鎮(zhèn);呂建國;黃靖云
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L31/109
• 分類號: H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 韓介梅

1.?一種非極性p-NiO/n-ZnO異質(zhì)結構，其特征是包括襯底（1）和生長在襯底上的非極性取向的pn結，所述的襯底為m面藍寶石，pn結是自下而上依次生長在襯底（1）上的（100）取向的n型ZnO薄膜（2）和（100）取向的p型NiO薄膜（3）構成的異質(zhì)pn結。

2.?制備權利要求1所述的非極性p-NiO/n-ZnO異質(zhì)結構的方法，其特征在于包括以下步驟：

1）采用分子束外延法或者脈沖激光沉積法在經(jīng)清洗的m面藍寶石襯底上制備（100）取向的n型ZnO薄膜：

所述分子束外延法生長（100）取向的n型ZnO薄膜：以純金屬Zn和經(jīng)射頻活化的純O₂為生長源，襯底溫度為500~750℃，Zn源爐溫260~300℃，氧氣流量為1~3?sccm；

所述脈沖激光沉積法生長（100）取向的n型ZnO薄膜：以純ZnO陶瓷靶作為靶材，襯底溫度為450～650℃，生長壓強為0.02~2?Pa；

2）采用脈沖激光沉積法在（100）取向的n型ZnO薄膜上制備（100）取向的p型NiO薄膜：靶材是純NiO陶瓷靶或者Li摻雜的NiO陶瓷靶，襯底溫度為300~500?℃，生長壓強為0.5~10?Pa。

3.?根據(jù)權利要求2所述的非極性p-NiO/n-ZnO異質(zhì)結構的制備方法，其特征在于：步驟1）中所述的純金屬Zn的純度≥99.9998%，純O₂的純度≥99.9999%，純ZnO陶瓷靶的純度≥99.999%；步驟2）中所述的純NiO陶瓷靶的純度≥99.99%。

4.?根據(jù)權利要求2所述的非極性p-NiO/n-ZnO異質(zhì)結構的制備方法，其特征在于Li摻雜摩爾濃度為5%~15%。