[發明專利]用于CMOS圖像傳感器的可變電壓行驅動器有效
| 申請號: | 201310037820.3 | 申請日: | 2013-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN103248839A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發明(設計)人: | 徐志浩;張光斌 | 申請(專利權)人: | 全視科技有限公司 |
| 主分類號: | H04N5/374 | 分類號: | H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 齊楊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 cmos 圖像傳感器 可變 電壓 驅動器 | ||
1.一種圖像傳感器,其包括:
多個像素,其布置在列和行的陣列中;
行驅動器,其耦合到所述陣列的一行中的像素以將可變驅動電壓提供給所述行的所述像素中所包含的驅動晶體管;以及
控制邏輯電路,其經耦合以將一個或一個以上控制邏輯信號提供給所述行驅動器,其中所述行驅動器響應于所述一個或一個以上控制邏輯信號而調整所述驅動電壓的量值。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述行驅動器是“與非”門,所述“與非”門輸出具有響應于所述一個或一個以上控制邏輯信號的多個離散非零電壓電平的所述驅動電壓。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述離散非零電壓電平的數目與耦合到所述“與非”門的輸入的所述控制邏輯信號的數目相同。
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述行驅動器包括多個開關單元,所述多個開關單元包含經耦合以接收所述控制邏輯信號的最高有效位MSB的第一開關單元,其中所述第一開關單元響應于所述MSB處于第一邏輯狀態而將所述行驅動器的輸出耦合到第一電壓源,所述多個開關單元包括耦合到所述第一開關單元的第二開關單元,其中所述第一開關單元響應于所述MSB處于第二邏輯狀態而將所述行驅動器的所述輸出耦合到所述第二開關單元。
5.根據權利要求4所述的圖像傳感器,其中所述第二開關單元經耦合以接收所述控制邏輯信號的第二位,且其中所述第二開關單元響應于所述MSB處于所述第二邏輯狀態且所述第二位處于所述第一邏輯狀態而將所述行驅動器的所述輸出耦合到第二電壓源。
6.根據權利要求5所述的圖像傳感器,其中所述多個開關單元經配置以響應于所述控制邏輯信號的其相應位中的每一者處于所述第二邏輯狀態而將所述行驅動器的所述輸出耦合到接地。
7.根據權利要求6所述的圖像傳感器,其中所述第一邏輯狀態是邏輯低且所述第二邏輯狀態是邏輯高。
8.根據權利要求4所述的圖像傳感器,其中所述第一開關單元包括第一開關和第二開關,所述第一開關單元的每一開關經耦合以由所述控制邏輯信號的所述MSB控制,其中所述第一開關經配置以響應于所述MSB處于所述第一邏輯狀態而將所述第一電壓源耦合到所述行驅動器的所述輸出,且所述第二開關經配置以響應于所述MSB處于所述第二邏輯狀態而將所述行驅動器的所述輸出耦合到所述第二開關單元。
9.根據權利要求8所述的圖像傳感器,其中所述第一和第二開關中的一者包括p溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管p-MOSFET,且所述第一和第二開關中的另一者包括n溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管n-MOSFET。
10.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述圖像傳感器是互補金屬氧化物半導體“CMOS”圖像傳感器。
11.一種圖像傳感器,其包括:
多個像素,其布置在列和行的陣列中;
控制邏輯電路,其經耦合以提供第一控制邏輯信號和第二控制邏輯信號;以及
行驅動器,其耦合到所述陣列的一行中的像素以將可變驅動電壓提供給所述行的所述像素中所包含的驅動晶體管,且響應于一個或一個以上控制邏輯信號而調整所述驅動電壓的量值,其中所述行驅動器包括:
第一開關單元,其經耦合以接收所述第一控制邏輯信號,其中所述第一開關單元響應于所述第一控制邏輯信號處于第一邏輯狀態而將所述行驅動器的輸出耦合到第一電壓源;
第二開關單元,其耦合到所述第一開關單元,其中所述第一開關單元響應于所述第一控制邏輯信號處于第二邏輯狀態而將所述行驅動器的所述輸出耦合到所述第二開關單元,其中所述第二開關單元經耦合以接收所述第二控制邏輯信號,且其中所述第二開關單元響應于所述第一控制邏輯信號處于所述第二邏輯狀態而將所述行驅動器的所述輸出耦合到第二電壓源。
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