[發明專利]基于對數一階微分峰值法的缺陷深度測量方法有效
| 申請號： | 201310037715.X | 申請日： | 2013-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN103148799A | 公開（公告）日： | 2013-06-12 |
| 發明（設計）人： | 曾智;陶寧;馮立春;王迅;張存林 | 申請（專利權）人： | 首都師范大學;北京維泰凱信新技術有限公司;重慶師范大學 |
| 主分類號： | G01B11/22 | 分類號： | G01B11/22;G01B11/06 |
| 代理公司： | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人： | 孫皓晨 |
| 地址： | 100037 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 對數 一階 微分 峰值 缺陷 深度 測量方法 | ||
1.一種基于對數一階微分峰值法的缺陷深度測量方法，其特征在于，包括如下步驟：
a、采用與被測試件相同的材料制作標準試件，標準試件的缺陷深度已知；
b、對標準試件進行加熱，獲得標準試件表面的熱圖序列；
c、根據獲得的熱圖序列得到標準試件不同缺陷深度下對數溫度-對數時間一階微分曲線，并提取各缺陷深度下對應曲線峰值的時刻t；
d、將缺陷深度平方L2與對應的峰值時刻t線性擬合，得到標準試件的時間-缺陷深度平方線性關系；
e、對被測試件重復步驟b和c，得到被測試件對數溫度-對數時間一階微分曲線，曲線峰值時刻為t1；
f、根據步驟d所獲得的線性關系和t1，求出被測試件的缺陷深度L1。
2.如權利要求1所述的基于對數一階微分峰值法的缺陷深度測量方法，其特征在于，步驟b中使用脈沖加熱設備進行加熱。
3.如權利要求1所述的基于對數一階微分峰值法的缺陷深度測量方法，其特征在于，步驟b中使用紅外熱像裝置獲得表面熱圖序列。
4.如權利要求1所述的基于對數一階微分峰值法的缺陷深度測量方法，其特征在于，步驟b中所述熱圖序列存儲在通用存儲器中。
5.如權利要求1所述的基于對數一階微分峰值法的缺陷深度測量方法，其特征在于，步驟c中得到對數溫度-對數時間一階微分曲線的方法為：根據獲得的熱圖序列得到原始的對數溫度-對數時間曲線，對其曲線擬合并求對數溫度-對數時間一階微分，得到對數溫度-對數時間一階微分曲線。
6.一種基于對數一階微分峰值法的缺陷深度測量方法，其特征在于，包括如下步驟：
a、采用與被測試件相同的材料制作標準試件，標準試件的缺陷深度已知；
b、對標準試件進行加熱，獲得標準試件表面的熱圖序列；
c、根據獲得的熱圖序列得到標準試件不同缺陷深度下對數溫度-對數時間一階微分曲線，并提取各缺陷深度下對應曲線峰值的時刻t；
d、一階微分峰值時間與缺陷深度的關系式：其中n為熱波反射次數，α為熱擴散系數。代入已知的α、對應的缺陷深度L和步驟c得到的t，得到公式中參數n值。
e、對被測試件重復步驟b和c，得到被測試件對數溫度-對數時間一階微分曲線，曲線峰值時間t1。
f、將t1和求出的n代入公式求出被測試件的缺陷深度L1。
7.如權利要求6所述的基于對數一階微分峰值法的缺陷深度測量方法，其特征在于，步驟b中使用脈沖加熱設備進行加熱。
8.如權利要求6所述的基于對數一階微分峰值法的缺陷深度測量方法，其特征在于，步驟b中使用紅外熱像裝置獲得表面熱圖序列。
9.如權利要求6所述的基于對數一階微分峰值法的缺陷深度測量方法，其特征在于，步驟b中所述熱圖序列存儲在通用存儲器中。
10.如權利要求6所述的基于對數一階微分峰值法的缺陷深度測量方法，其特征在于，步驟c中得到對數溫度-對數時間一階微分曲線的方法為：根據獲得的熱圖序列得到原始的對數溫度-對數時間曲線，對其曲線擬合并求對數溫度-對數時間一階微分，得到對數溫度-對數時間一階微分曲線。
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