[發(fā)明專利]一種大功率LED芯片的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310037404.3 | 申請(qǐng)日： | 2013-01-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103094437A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐琦;鄭遠(yuǎn)志;康建;陳靜;盛成功 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 馬鞍山圓融光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/10 | 分類號(hào)： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孫佳胤 |
| 地址： | 243000 安徽省馬鞍山市馬鞍*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 大功率 led 芯片 制作方法 | ||
1.一種大功率LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供襯底，所述襯底的正面具有多個(gè)LED芯片；
在襯底背面形成具有鏤空?qǐng)D形陣列的阻擋層，所述鏤空?qǐng)D形的位置與正面的LED芯片逐一對(duì)應(yīng)，所述襯底背面通過(guò)所述鏤空?qǐng)D形暴露出來(lái)；
通過(guò)阻擋層的鏤空?qǐng)D形在襯底背面形成反射鏡陣列；
移除阻擋層；
沿著反射鏡陣列之間的間隙切割所述襯底，以獲得背面具有反射鏡的LED芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的大功率LED芯片的制作方法，其特征在于：所述反射鏡為芯片全角反射鏡，其制作方法包括采用電子束蒸發(fā)或者磁控濺射工藝在襯底背面蒸鍍一層以上的雙介質(zhì)膜及多層金屬膜。
3.如權(quán)利要求1所述的大功率LED芯片的制作方法，其特征在于：所述切割步驟采用激光劃片工藝。
4.如權(quán)利要求1所述的大功率LED芯片的制作方法，其特征在于：所述反射鏡之間的距離范圍是1至100μm。?
5.如權(quán)利要求1所述的大功率LED芯片的制作方法，其特征在于：在形成阻擋層的步驟之后進(jìn)一步包括通過(guò)阻擋層的鏤空?qǐng)D形在襯底背面形成分布布拉格反射鏡的步驟，所述反射鏡進(jìn)一步形成在分布布拉格反射鏡的表面。
6.如權(quán)利要求1所述的大功率LED芯片的制作方法，其特征在于：在形成阻擋層的步驟之前進(jìn)一步如下步驟：
在襯底的背面制作光刻標(biāo)記；
在襯底背面形成分布布拉格反射鏡。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
