[發(fā)明專利]一種雙反射發(fā)光二極管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310037317.8
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103078023A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王漢華;項藝;楊新民;靳彩霞;董志江
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢迪源光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/14
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種帶反射結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

LED芯片結(jié)構(gòu)表面的金屬電極能使電流更好地擴展，但是其光子位于光射出的路徑上時會被接觸的金屬吸收或反射，反射回去的光子有被吸收的可能，不利于提高光輸出效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種通過設(shè)置雙反射層來增大出光率的發(fā)光二極管。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：一種發(fā)光二極管，包括從上到下依次排列的P電極、電流擴展層、P型層和有源層，從所述P電極的下表面到所述有源層的上表面之間的不同高度上分別設(shè)有第一光線反射面和第二光線反射面。

本發(fā)明的有益效果是：利用光在兩個反射面之間不斷反射以及散射，增加出光效率。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進：

進一步，所述第一光線反射面位于所述P電極的下表面與所述電流擴展層的上表面之間，所述第二光線反射面位于所述電流擴展層的下表面與所述P型層的上表面之間。采用上述進一步方案的有益效果是將第一光線反射面和第二光線反射面設(shè)置在該處是本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式，利用電流擴展層實現(xiàn)了雙反射，既具有較好的提高出光率的效果，又便于實施。

更進一步，所述第一反射面為布拉格反射層。采用上述進一步方案的有益效果是作為本領(lǐng)域常用的技術(shù)手段，本領(lǐng)域技術(shù)人員實施起來較容易。

再進一步，所述布拉格反射層的面積大于等于所述P電極的下表面的面積且小于所述電流擴展層的上表面的面積，所述P電極的下表面在所述布拉格反射層上的投影完全落入該布拉格反射層的面積之內(nèi)。采用上述進一步方案的有益效果是將該布拉格反射層放置于P電極的正下方，且使投影面落入布拉格反射層內(nèi)，該布拉格反射層的面積不能小于P電極下表面的面積，否則P電極下方未擋住光線會被電極材料所吸收；又因為布拉格反射層的絕緣作用，布拉格反射層的面積不能大到鋪滿整個層。

更進一步，所述第二反射面為所述P型層的上表面，且所述P型層的上表面為粗糙表面。采用上述進一步方案的有益效果是雖然可能不如在該處新增一層布拉格反射層效果好，但這種方式的優(yōu)點是非常方便易于實施，實施成本低。

進一步，所述第一光線反射面位于所述電流擴展層的下表面與所述P型層的上表面之間，所述第二光線反射面位于所述P型層的下表面和所述有源層的上表面之間。采用上述進一步方案的有益效果是作為本發(fā)明另一種優(yōu)選實施方式，利用P型層實現(xiàn)了雙反射，既具有較好的提高出光率的效果，又便于實施。

更進一步，所述第一反射面為布拉格反射層。采用上述進一步方案的有益效果是作為本領(lǐng)域常用的技術(shù)手段，本領(lǐng)域技術(shù)人員實施起來較容易。

再進一步，所述布拉格反射層的面積大于等于所述P電極的下表面的面積且小于所述電流擴展層的下表面的面積，所述P電極的下表面在所述布拉格反射層上的投影完全落入該布拉格反射層的面積之內(nèi)。采用上述進一步方案的有益效果是將該布拉格反射層放置于P電極的正下方，且使投影面落入布拉格反射層內(nèi)，該布拉格反射層的面積不能小于P電極下表面的面積；又因為布拉格反射層的絕緣作用，布拉格反射層的面積不能大到鋪滿整個層。

更進一步，所述P型層和所述有源層之間還設(shè)有電子阻擋層；所述第二光線反射面為所述電子阻擋層的上表面。采用上述進一步方案的有益效果是由于很多發(fā)光二極管是帶有電子阻擋層的，而這一電子阻擋層本身都是慘Al的，具備反射效果，那么就可以直接將電子阻擋層的上表面作為第二光線反射面，無需重新制作第二光線反射面，實施容易成本低。

附圖說明

圖1為一般發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例1的兩層光線反射面位置示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例2的兩層光線反射面位置示意圖。

附圖中，各標(biāo)號所代表的部件列表如下：

101、P電極，102、電流擴展層，103、P型層，104、電子阻擋層，105、有源層，106、N型層，107、非摻雜GaN層，108、緩沖層，109、襯底，110、反射層，111、金屬層，112、N電極；

201、保護層；

301、第一光線反射面，302、第二光線反射面。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。