[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310037304.0 | 申請日: | 2013-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN103681745B | 公開(公告)日: | 2019-01-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金璋燮;金載勛;金圣雄 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 齊葵;羅正云 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發(fā)光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法,本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置包括基板、像素限定膜、像素電極、空穴注入層、導電性底漆層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層以及公用電極。所述基板具有像素區(qū)域,所述像素限定膜對應于所述像素區(qū)域形成有開口部。所述像素電極配置于所述像素區(qū)域,所述空穴注入層配置于所述像素電極的上方。所述導電性底漆層收容于所述開口部而配置于所述空穴注入層的上方,并且比所述空穴注入層更具有親液特性。另外,所述空穴傳輸層收容于所述開口部而配置于所述導電性底漆層的上方,所述有機發(fā)光層配置于所述空穴傳輸層的上方,所述公用電極配置置于所述有機發(fā)光層的上方。
技術區(qū)域
本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法,尤其涉及一種具有便于制造的結構的有機電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術
有機電致發(fā)光顯示裝置為一種平板顯示裝置,逐漸代替以往廣泛使用的液晶顯示器。由于有機電致發(fā)光顯示裝置本身就能發(fā)光而顯示圖像,因此不同于液晶顯示器,其結構要素無需使用產生光的背光單元。因此,有機電致發(fā)光顯示裝置比液晶顯示器更有利于減少厚度,不僅如此,其響應特性優(yōu)異,作為下一代顯示裝置,其應用范圍日益擴大。
一般來說,有機電致發(fā)光顯示裝置包括陽極、陰極以及設置在這兩個電極間的空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層。通過所述陽極向所述有機發(fā)光層提供空穴,通過所述陰極向所述有機發(fā)光層提供電子。因此,提供至所述有機發(fā)光層的電子和空穴再次結合而形成激子,所述激子在從激發(fā)態(tài)轉為基態(tài)時產生的能量使所述有機發(fā)光層產生光。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種有機電致發(fā)光顯示裝置,該裝置具有便于制造的結構。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種所述有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法。
為實現本發(fā)明的上述目的,本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置包括基板、像素限定膜、像素電極、空穴注入層、導電性底漆層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層以及公用電極。
所述基板具有像素區(qū)域,在所述像素限定膜與所述像素區(qū)域對應而形成有開口部。所述像素電極配置于所述像素區(qū)域,所述空穴注入層設置于所述像素電極的上方。所述導電性底漆層收容于所述開口部并配置于所述空穴注入層的上方,且比所述空穴注入層更具有親液特性。
另外,所述空穴傳輸層收容于所述開口部并配置于所述導電性底漆層的上方,所述有機發(fā)光層配置于所述空穴傳輸層的上方,所述公用電極配置于所述有機發(fā)光層的上方。
為實現本發(fā)明的上述目的,本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法包括以下步驟。在基板上方形成像素電極,在所述像素電極的上方形成具有開口部的像素限定膜,并通過所述開口部使所述像素電極外露。之后,在所述像素電極的上方形成空穴注入層,在所述空穴注入層的上方形成導電性底漆層,所述導電性底漆層比所述空穴注入層更具有親液特性。而后,在所述導電性底漆層的上方形成空穴傳輸層,在所述空穴傳輸層的上方形成有機發(fā)光層,在所述有機發(fā)光層的上方形成公用電極。
另外,將底漆溶液提供至所述開口部的內側,并固化所述底漆溶液而形成所述導電性底漆層。
根據本發(fā)明的實施例,導電性底漆層由噴射到像素限定膜的開口部內側的底漆溶液固化而形成。另外,所述導電性底漆層比配置于其下方的空穴注入層更具有親液特性,因此能夠以均勻的厚度提供噴射到所述底漆層的上方的液態(tài)材料,且能通過固化所述液態(tài)材料容易形成空穴傳輸層。
附圖說明
圖1是顯示本發(fā)明的實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置的像素的剖視圖。
圖2是顯示本發(fā)明的另一實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
圖3a至圖3f是顯示圖1所示有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的圖。
符號說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





