[發(fā)明專利]一種肖特基二極管勢壘高度的提取方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310037179.3
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103149522A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范春暉;王全
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種肖特基二極管勢壘高度的提取方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）測量肖特基二極管的反向I-V特性曲線；

（2）以(-V)^1/4為橫坐標(biāo)，以ln|I|為縱坐標(biāo)，在一段負(fù)偏壓區(qū)間內(nèi)外推曲線與縱軸相交，截距為C；

（3）得到零偏壓下肖特基二極管的勢壘高度為

其中，是零偏壓肖特基二極管勢壘高度，單位為eV（電子伏特）；k是波爾茲曼常數(shù)，取1.38×10^-23J/K（焦耳/開)；T是樣品測試時的絕對溫度，單位為K（開）；q是電子電荷，取1.6×10^-19C（庫侖）；A是肖特基二極管的面積，單位為μm²（平方微米）；A*是理查德森常數(shù)，n型硅襯底，取理查德森常數(shù)A*=112A/cm²K²（安培/平方厘米*平方開），p型硅襯底，取A*=32A/cm²K²（安培/平方厘米*平方開）。