[發明專利]記錄介質

有效

• 申請號: 201310036568.4
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN103223796A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 田栗亮;加茂久男;野口哲朗;仁藤康弘;小栗勲;八田直也;荒木和彥;湯本真也
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: B41M5/50
• 分類號: B41M5/50
• 代理公司: 北京魏啟學律師事務所 11398
• 代理人: 魏啟學

1.一種記錄介質，其包括：

基材；和至少一層墨接收層，

其中作為所述墨接收層的一層的第一墨接收層包含平均一次粒徑為1μm以下的無機顆粒和涂布有金屬氧化物的無機顆粒，

所述的涂布有金屬氧化物的無機顆粒具有15.0μm以上的平均一次粒徑，和

當記錄介質的由下式表示的FLOP值的最大值由FLOP_Max表示和FLOP值的最小值由FLOP_Min表示時，FLOP_Min為2.5以上并且FLOP_Min/FLOP_Max的值為0.80以上且1.00以下：

FLOP值=2.69×(L^*_15°-L^*_110°)^1.11/L^*_45°^0.86

其中L^*_15°表示在偏斜角為15°下的反射光的亮度，L^*_45°表示在偏斜角為45°下的反射光的亮度和L^*_110°表示在偏斜角為110°下的反射光的亮度。

2.根據權利要求1所述的記錄介質，其中包含于所述第一墨接收層中的所述的平均一次粒徑為1μm以下的無機顆粒包含選自氧化鋁、水合氧化鋁和二氧化硅的至少一種。

3.根據權利要求1所述的記錄介質，其中包含于所述第一墨接收層中的所述的涂布有金屬氧化物的無機顆粒包含選自天然云母、合成云母、氧化鋁、水合氧化鋁和二氧化硅的至少一種，和所述金屬氧化物包含選自二氧化鈦、鐵氧化物和氧化錫的至少一種。

4.根據權利要求1所述的記錄介質，其中包含于所述第一墨接收層中的所述的涂布有金屬氧化物的無機顆粒的含量相對于包含于所述第一墨接收層中的所述的平均一次粒徑為1μm以下的無機顆粒的含量為5.0質量%以上且25.0質量%以下。

5.根據權利要求1所述的記錄介質，其中包含于所述第一墨接收層中的所述的平均一次粒徑為1μm以下的無機顆粒具有0.1nm以上且500nm以下的平均一次粒徑，和包含于所述第一墨接收層中的所述的涂布有金屬氧化物的無機顆粒具有15.0μm以上且300μm以下的平均一次粒徑。

6.根據權利要求1所述的記錄介質，其中所述記錄介質包括依次配置的所述基材、所述第一墨接收層和第二墨接收層，

所述第二墨接收層包含平均一次粒徑為1μm以下的無機顆粒，和

所述第二墨接收層具有18μm以上且55μm以下的厚度。

7.根據權利要求1所述的記錄介質，其進一步包括含有硼砂的底涂層，所述底涂層被配置在所述基材和所述第一墨接收層之間。

8.根據權利要求7所述的記錄介質，其中所述底涂層中硼砂的含量為0.1g/m²以上且1.2g/m²以下。