[發(fā)明專利]一種防止圖案缺失的方法及其晶圓制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310036476.6
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN103972082B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發(fā)明（設計）人: 李健
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/318
• 分類號: H01L21/318
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 馬曉亞

1.一種防止圖案缺失的方法，其特征在于，該方法依次包括以下步驟：

在晶圓的一表面上生長多晶硅層；

在所述多晶硅層表面形成掩膜層；

在所述多晶硅層表面形成的所述掩膜層上形成厚度為4000埃以上的保護層；

去除多余掩膜層；

去除保護層。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜層厚度為4000至6000埃之間。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述掩膜層為SiN層或SiON層，并且所述保護層為SiO₂層。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述晶圓浸入酸性溶液去除所述掩膜層。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學機械拋光法去除所述保護層。

6.一種防止圖案缺失的晶圓制造方法，其特征在于，所述方法依次包括以下步驟：

在晶圓上的一表面上生長多晶硅層；

在多晶硅層上形成掩膜層；

在所述掩膜層上形成厚度為4000埃以上的保護層；

去除所述晶圓背面的掩膜層；

去除所述保護層；

刻蝕晶圓形成電路圖案。

7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述掩膜層厚度為4000埃至6000埃之間。

8.根據(jù)權利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述掩膜層為氮化硅或氮氧化硅，并且所述保護層為氧化硅。

9.根據(jù)權利要求6或7所述的方法，其特征在于，采用浸入酸式清洗法去除所述掩膜層。

10.根據(jù)權利要求6或7所述的方法，其特征在于，采用化學機械拋光法去除所述保護層。