[發明專利]制備高純度多晶硅的方法與裝置

有效

• 申請號: 201310036359.X
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN103122482A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 陳紅榮;胡動力;鄢俊琦
• 申請（專利權）人: 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06;C30B33/02
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.制備高純度多晶硅的方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供過濾件，在過濾件上設置熔融狀態的硅料，使所述熔融狀態的硅料中的硅液與難熔雜質分離，得到純化后的硅液；

將所述純化后的硅液定向凝固結晶形成硅錠，得到高純度的多晶硅。

2.如權利要求1所述的制備高純度多晶硅的方法，其特征在于，在所述將所述純化后的硅液定向凝固結晶形成硅錠，得到高純度的多晶硅后進一步包括：

降低硅錠溫度進行退火，冷卻后出爐，除去硅錠表面的雜質，得到高純度的多晶硅。

3.如權利要求1所述的制備高純度多晶硅的方法，其特征在于，所述過濾件為底部帶有濾孔的坩堝或耐高溫材料制成的濾網。

4.如權利要求3所述的制備高純度多晶硅的方法，其特征在于，所述坩堝和濾網上的濾孔為直徑1～15mm的圓形通孔或邊長1～15mm的任意多邊形通孔。

5.如權利要求1所述的制備高純度多晶硅的方法，其特征在于，所述在過濾件上設置熔融狀態的硅料進一步包括：

在過濾件上方裝載固體硅料，然后對過濾件進行加熱使得硅料熔融，制得熔融狀態的硅料；或

在另外一個坩堝內加熱固體硅料，制得熔融狀態的硅料，將該熔融狀態的硅料澆鑄至過濾件上。

6.如權利要求5所述的制備高純度多晶硅的方法，其特征在于，在過濾件上設置熔融狀態的硅料前，還在所述過濾件上加入了少量的團狀雜質。

7.如權利要求6所述的制備高純度多晶硅的方法，其特征在于，所述團狀雜質為氮化硅、碳化硅、氧化硅中的一種或多種。

8.如權利要求5所述的制備高純度多晶硅的方法，其特征在于，所述加熱制備熔融狀態的硅料，加熱溫度為1441～1650℃。

9.如權利要求3所述的制備高純度多晶硅的方法，其特征在于，所述耐高溫材料為氮化硅、碳化硅或氧化硅。

10.制備高純度多晶硅的裝置，其特征在于，包括過濾件，所述過濾件為底部帶有濾孔的坩堝或耐高溫材料制成的濾網。