[發(fā)明專利]半導(dǎo)體基底、半導(dǎo)體裝置及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310036289.8 | 申請日： | 2011-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN103151433A | 公開（公告）日： | 2013-06-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 酒井士郎 | 申請（專利權(quán)）人： | 首爾OPTO儀器股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;魯恭誠 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 基底 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種使用重復(fù)利用的基底制造發(fā)光裝置的方法，所述方法包括：
在重復(fù)利用的基底上生長化合物半導(dǎo)體層的步驟；
通過化合物半導(dǎo)體層分離重復(fù)利用的基底的步驟；
在半導(dǎo)體中形成多個腔的步驟；
通過利用HF、KOH或NaOH中之一的化學(xué)處理來蝕刻表面的步驟；
將重復(fù)利用的基底的分離的化合物半導(dǎo)體表面平坦化的步驟；
其中，化學(xué)蝕刻工藝的步驟產(chǎn)生不規(guī)則的半導(dǎo)體表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將分離的化合物半導(dǎo)體表面平坦化的步驟利用RIE工藝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括：在半導(dǎo)體層的頂部上形成圖案化的層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，圖案化的層包括氧化物層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，圖案化的層包括金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，重復(fù)利用的基底是GaN基底。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，所述方法還包括：第二半導(dǎo)體層，包括氮化物半導(dǎo)體材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，化合物半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，第二半導(dǎo)體層在1000攝氏度以上形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，腔的中心附近與第一基底之間的距離比腔的邊緣與第一基底之間的距離近。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，所述方法還包括：第二基底，在第二半導(dǎo)體層上。
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