[發明專利]一種去除晶圓背面掩膜層的方法在審
| 申請號： | 201310036133.X | 申請日： | 2013-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN103972074A | 公開（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發明（設計）人： | 李健 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 馬曉亞 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 去除 背面 掩膜層 方法 | ||
1.一種去除晶圓背面掩膜層的方法，依次包括以下步驟：
在晶圓的一面生長多晶硅層；
在所述晶圓背面和所述多晶硅層表面生長掩膜層；
其特征在于，該方法還依次包括以下步驟：
將所述晶圓背面朝向噴液機臺的噴嘴；
從噴嘴噴射清洗液，去除所述晶圓背面的掩膜層。
2.根據權利要求1所述的去除晶圓背面掩膜層的方法，其特征在于，所述噴液式機臺為下噴式機臺。
3.根據權利要求1或2所述的去除晶圓背面掩膜層的方法，其特征在于，在噴頭噴射清洗液的同時旋轉晶圓。
4.根據權利要求1所述的去除晶圓背面掩膜層的方法，其特征在于,所述掩膜層為氮化硅或氮氧化硅，所述清洗液為磷酸。
5.根據權利要求1所述的去除晶圓背面掩膜層的方法，其特征在于,所述掩膜層為氧化硅，并且所述清洗液為氫氟酸。
6.一種采用權利要求1所述的去除晶圓背面掩膜層的方法生產晶圓的方法，其特征在于，依次包括以下步驟：
在晶圓的一面生長多晶硅層；
在所述晶圓背面和所述多晶硅層表面生長掩膜層；
對所述晶圓背面進行清洗；
對所述晶圓正面進行光刻，形成電路圖案。
7.根據權利要求6所述的生產晶圓的方法，其特征在于，對所述晶圓背面進行清洗時，旋轉所述晶圓。
8.根據權利要求6或7所述的生產晶圓的方法，其特征在于，所述掩膜層為氮化硅或者氮氧化硅，采用的清洗液為磷酸。
9.根據權利要求6或7所述的生產晶圓的方法，其特征在于，所述掩膜層為氮化硅或者氧化硅，采用的清洗液為氫氟酸。
10.根據權利要求6所述的生產晶圓的方法，其特征在于，采用下噴式機臺清洗所述晶圓背面的掩膜層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
