[發(fā)明專利]顯示設(shè)備、背光模組及其場發(fā)射光源裝置和制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310036129.3 | 申請日： | 2013-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN103117205A | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王燁文 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01J63/02 | 分類號： | H01J63/02;H01J63/00;F21S8/00;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市光明新區(qū)公*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示 設(shè)備 背光 模組 及其 發(fā)射 光源 裝置 制造 方法 | ||
1.一種用于背光模組的場發(fā)射光源裝置，其特征在于，所述場發(fā)射光源裝置包括：
相對設(shè)置的第一基板和第二基板；
第一電極層，形成于所述第一基板的內(nèi)側(cè)；
第二電極層，形成于所述第二基板的內(nèi)側(cè)；
發(fā)光材料層，設(shè)于所述第一電極層和所述第二電極層之間并形成于所述第一電極層上，所述發(fā)光材料層包括量子點材料；
其中，所述第二電極層用于發(fā)射帶電粒子轟擊所述發(fā)光材料層而發(fā)光，進而形成用于背光模組的背光源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場發(fā)射光源裝置，其特征在于，所述第一電極層為第一透明導(dǎo)電膜，所述發(fā)光材料層通過印刷或噴涂的方式形成于所述第一透明導(dǎo)電膜上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的場發(fā)射光源裝置，其特征在于，所述第二電極層包括形成于所述第二基板上的第二透明導(dǎo)電膜以及形成于所述第二透明導(dǎo)電膜上的帶電粒子發(fā)射體，所述帶電粒子發(fā)射體的材料包括碳納米管和/或氧化鋅納米管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的場發(fā)射光源裝置，其特征在于，所述帶電粒子發(fā)射體通過印刷或噴涂的方式形成于所述第二透明導(dǎo)電膜上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的場發(fā)射光源裝置，其特征在于，所述場發(fā)射光源裝置還包括密封間隔層，所述密封間隔層設(shè)于所述第一基板和所述第二基板之間使得所述第一基板和所述第二基板之間形成真空區(qū)域，所述發(fā)光材料層和所述帶電粒子發(fā)射體部分或全部容置于所述真空區(qū)域內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的場發(fā)射光源裝置，其特征在于，所述第一基板和/或所述第二基板為白玻璃，所述密封間隔層的材料包括低熔點玻璃粉。
7.一種背光模組，其特征在于，所述背光模組包括權(quán)利要求1~6任一項所述的場發(fā)射光源裝置。
8.一種顯示設(shè)備，其特征在于，所述顯示設(shè)備包括權(quán)利要求7所述的背光模組。
9.一種用于背光模組的場發(fā)射光源裝置制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在第一基板的內(nèi)側(cè)形成第一電極層，并在所述第一電極層上形成包括量子點材料的發(fā)光材料層，其中，所述第一電極層為第一透明導(dǎo)電膜；
在與所述第一基板相對設(shè)置的第二基板的內(nèi)側(cè)形成第二電極層，所述第二電極層包括形成于所述第二基板上的第二透明導(dǎo)電膜以及形成于所述第二透明導(dǎo)電膜上的帶電粒子發(fā)射體，所述發(fā)光材料層設(shè)于所述第一電極層和所述第二電極層之間；
在所述第一基板和所述第二基板之間形成密封間隔層；
在形成所述間隔層后進行封裝處理，并通過所述第一基板或所述第二基板上預(yù)設(shè)置的安裝孔進行抽真空處理，使得所述第一基板和所述第二基板之間形成真空區(qū)域，且所述發(fā)光材料層和所述帶電粒子發(fā)射體部分或全部容置于所述真空區(qū)域內(nèi)；
在完成抽真空處理后，密封所述安裝孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的場發(fā)射光源裝置制造方法，其特征在于，所述第一基板和/或所述第二基板為白玻璃，所述帶電粒子發(fā)射體包括碳納米管和/或氧化鋅納米管，所述密封間隔層的材料包括低熔點玻璃粉：
所述并在所述第一電極層上形成包括量子點材料的發(fā)光材料層的步驟具體包括：
通過印刷或噴涂的方式將所述發(fā)光材料層形成于所述第一透明導(dǎo)電膜上；
所述在第二基板上形成第二電極層的步驟具體包括：
在所述第二基板上形成所述第二透明導(dǎo)電膜，通過印刷或噴涂的方式將所述帶電粒子發(fā)射體形成于所述第二透明導(dǎo)電膜上；
所述在形成所述密封間隔層后進行封裝處理的步驟具體包括：
在形成所述間隔層后，在300℃~600℃之間進行封裝處理。
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