[發(fā)明專利]一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310036078.4
• 申請(qǐng)日: 2013-01-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103093721A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周剛;田朝勇;劉宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川虹視顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/32
• 分類號(hào): G09G3/32
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51227
• 代理人: 周永宏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及AMOLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)

基于P型TFT構(gòu)成的傳統(tǒng)2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路如圖1所示：圖中，M1為開(kāi)關(guān)晶體管，用于控制數(shù)據(jù)線Vdata輸入；M2為驅(qū)動(dòng)晶體管，用于控制OLED的發(fā)光電流；Cs為存儲(chǔ)電容器，用于為驅(qū)動(dòng)晶體管M2的柵極提供偏置及維持電壓。

上述的2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路在單幀時(shí)間內(nèi)包括兩個(gè)工作時(shí)段，如圖2所示：第一時(shí)段為數(shù)據(jù)線Vdata寫(xiě)入時(shí)段t1，在該時(shí)段內(nèi)，行掃描線Vscan為低電平，此時(shí)開(kāi)關(guān)晶體管M1導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線Vdata經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)晶體管M1漏源極之間的通道寫(xiě)入到存儲(chǔ)電容器Cs上，并同時(shí)作用于驅(qū)動(dòng)晶體管M2的柵極，M2導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)發(fā)光像素單元OLED發(fā)光；第二時(shí)段為顯示維持時(shí)段t2，在該時(shí)段內(nèi)，行掃描線Vscan為高電平，開(kāi)關(guān)晶體管M1處于截止?fàn)顟B(tài)，其漏源極之間的通道被關(guān)斷，數(shù)據(jù)線Vdata與存儲(chǔ)電容器Cs（驅(qū)動(dòng)晶體管M2的柵極）之間的通道被關(guān)斷。此時(shí)，在理論上可以認(rèn)為存儲(chǔ)電容器Cs因開(kāi)關(guān)晶體管M1關(guān)斷而沒(méi)有電荷的泄放通路，只能保持開(kāi)關(guān)晶體管M1截止前的狀態(tài)，Cs兩端電壓維持不變，M2保持導(dǎo)通并維持發(fā)光像素單元OLED發(fā)光，直到下一幀周期的行掃描線Vscan到來(lái)，開(kāi)關(guān)晶體管M1再次被選通。與掃描信號(hào)Vscan對(duì)應(yīng)，數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata在掃描信號(hào)Vscan為低電平時(shí)為包含當(dāng)前像素灰度值的數(shù)據(jù)信號(hào)，在掃描信號(hào)Vscan上升沿到來(lái)，即該像素該周期內(nèi)數(shù)據(jù)寫(xiě)入結(jié)束后，已寫(xiě)入的數(shù)據(jù)信號(hào)保持不變，直到下一幀周期到來(lái)該像素寫(xiě)入新的數(shù)據(jù)信號(hào)。

但在實(shí)際工程應(yīng)用中，因開(kāi)關(guān)晶體管M1本身特性的影響，在其關(guān)斷過(guò)程中會(huì)有電流繼續(xù)注入存儲(chǔ)電容中，此即為開(kāi)關(guān)晶體管M1的電荷注入效應(yīng)，目前沒(méi)有很好的方法從元件本身上對(duì)該效應(yīng)進(jìn)行抑制。進(jìn)一步的，由于開(kāi)關(guān)晶體管M1電荷注入效應(yīng)的影響，原本寫(xiě)入存儲(chǔ)電容的數(shù)據(jù)電壓會(huì)發(fā)生躍變，考慮這種實(shí)際情況后Cs兩端的電壓即驅(qū)動(dòng)晶體管M2的柵極電位將在開(kāi)關(guān)晶體管M1關(guān)斷后因?yàn)镸1電荷注入效應(yīng)的影響而發(fā)生變化，加之驅(qū)動(dòng)晶體管M2的IV曲線（電流-電壓關(guān)系曲線）以及發(fā)光像素單元OLED的IVL曲線（電流-電壓-亮度關(guān)系曲線）的非線性特性的影響，相應(yīng)像素單元的OLED亮度會(huì)在上述幀周期內(nèi)有所變化，進(jìn)而容易導(dǎo)致顯示圖像畸變。如圖3所示，電壓（voltage）在時(shí)間（time）30u（S）與35u(S)之間由A點(diǎn)的Y1=2.5(V)躍變至B點(diǎn)的Y2=2.5437(V)，躍變電壓dY1=43.7mv。所以在像素驅(qū)動(dòng)電路中要求盡可能減小或消除開(kāi)關(guān)晶體管M1的電荷注入效應(yīng)導(dǎo)致的存儲(chǔ)電容器Cs兩端的電壓變化。

傳統(tǒng)的一種方法是增大現(xiàn)有的2T1C像素電路的存儲(chǔ)電容器Cs的電容值。通過(guò)增大電容值可以有效降低開(kāi)關(guān)晶體管M1電荷注入效應(yīng)及漏電流的影響，但是增大電容值需要在OLED像素單元區(qū)域增大電容Cs極板面積，從OLED像素的單元結(jié)構(gòu)可以看出存儲(chǔ)電容器Cs與OLED發(fā)光區(qū)域并列分布于像素區(qū)域，增大存儲(chǔ)電容器Cs勢(shì)必影響到面板開(kāi)口率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是為了減小AMOLED面板因開(kāi)關(guān)晶體管M1的電荷注入效應(yīng)導(dǎo)致的存儲(chǔ)電容器Cs兩端電壓變化所引起的顯示圖像畸變的影響，同時(shí)不降低像素開(kāi)口率，提出了一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，包括2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)包括掃描信號(hào)Vscan和數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata；

其中，掃描信號(hào)Vscan為周期信號(hào)，在一個(gè)周期內(nèi)包括兩個(gè)時(shí)段，第一時(shí)段Vscan為低電平，第二時(shí)段Vscan為高電平，第一時(shí)段與第二時(shí)段之間包含電壓上升沿，第二時(shí)段以電壓下降沿結(jié)束；

數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata根據(jù)掃描信號(hào)Vscan周期性地施加，該數(shù)據(jù)信號(hào)在一個(gè)幀周期內(nèi)包括與當(dāng)前像素同一列的所有像素的數(shù)據(jù)信號(hào)，各像素?cái)?shù)據(jù)信號(hào)持續(xù)時(shí)間就是掃描信號(hào)Vscan負(fù)脈沖寬度，同一列各相鄰像素?cái)?shù)據(jù)信號(hào)之間包含電壓下降沿。

上述數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata中的下降沿起點(diǎn)在時(shí)間軸上不早于上述掃描信號(hào)Vscan的上升沿的起點(diǎn)且該下降沿終點(diǎn)不晚于該上升沿的終點(diǎn)。

上述數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata中的下降沿的終點(diǎn)電壓值不高于數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata低電平允許范圍的最低值。

上述數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata中的下降沿的起點(diǎn)和終點(diǎn)在時(shí)間軸上與上述掃描信號(hào)Vscan的上升沿的起點(diǎn)和終點(diǎn)對(duì)齊。

一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于包括以下步驟：