[發明專利]一種LED外延結構

無效

• 申請號: 201310036011.0
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN103078018A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 李鴻建;靳彩霞;董志江
• 申請（專利權）人: 武漢迪源光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/14
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種LED外延結構，包括依次層疊的襯底、過渡層、u型氮化鎵層、n型氮化鎵層、多量子阱層、p型氮化鎵層、ITO摻錫氧化銦層、p型電極和形成于n型氮化鎵層上的n型電極，其特征在于，還包括p型接觸層，所述p型接觸層介于p型氮化鎵層和ITO摻錫氧化銦層之間，呈鍥型結構，且p型接觸層的空穴濃度漸變，靠近p型氮化鎵層的一測空穴濃度高，遠離p型氮化鎵層一側空穴濃度低。

2.根據權利要求1所述一種LED外延結構，其特征在于，所述p型接觸層由摻雜Mg或Be的Al_yIn_xGa_1-x-yN的半導體層構成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y＜1。

3.根據權利要求2所述一種LED外延結構，其特征在于，所述p型接觸層的摻雜濃度由下至上依次呈漸變型，靠近p型氮化鎵層的一測濃度高，遠離p型氮化鎵層的一側濃度低。

4.根據權利要求3所述一種LED外延結構，其特征在于，所述p型接觸層摻雜的濃度范圍為1*10¹⁷/cm³～9*10²²/cm³。

5.根據權利要求1-3或4所述一種LED外延結構，其特征在于，所述p型接觸層被刻腐蝕前的厚度取值范圍為0.01～100μm。