[發明專利]用于帶有失效開放機構的電子封裝的系統和方法

有效

• 申請號: 201310035544.7
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN103227156A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: K.K.古;C.B.馬貝拉;陳愛敏;G.韋特里韋爾佩里亞薩米
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;盧江

1.一種半導體封裝，包括：

被配置為被安裝在電路板上的第一表面；和

可熱膨脹材料的區域，被配置為當所述可熱膨脹材料的溫度超過第一溫度時將所述半導體封裝的所述第一表面推離所述電路板。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述可熱膨脹材料的區域包括多層金屬條。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝，其中所述多層金屬條包括：

具有第一線性膨脹系數的內表面；和

具有第二線性膨脹系數的外表面，其中

????所述內表面與所述外表面相對，

????所述內表面面對所述半導體封裝的所述第一表面地被置放在所述半導體封裝上，并且

????所述第一線性膨脹系數大于所述第二線性膨脹系數。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝，其中所述內表面包括銅并且所述外表面包括鐵。

5.根據權利要求3所述的半導體封裝，進一步包括被置放在所述多層金屬條的至少一個部分上的彈簧層。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述可熱膨脹材料的區域被置放在所述第一表面內。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝，其中所述半導體封裝包括被置放在所述第一表面內的空腔，并且所述可熱膨脹材料被置放在所述空腔內。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中：

所述半導體封裝進一步包括多個表面安裝引線；并且

所述空腔被鄰近于所述多個表面安裝引線地置放。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述可熱膨脹材料包括可熱膨脹聚合物。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述半導體封裝進一步包括半導體功率晶體管器件。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述半導體封裝進一步包括：

僅僅在所述半導體封裝的第一邊緣上置放的單行表面安裝觸點；并且

所述可熱膨脹材料的區域被鄰近于所述單行表面安裝觸點地置放，其中所述可熱膨脹材料被配置為當所述可熱膨脹材料超過所述第一溫度時將所述表面安裝觸點推離所述電路板的平面。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝，其中所述可熱膨脹材料包括被置放于在所述半導體封裝的所述第一表面中置放的通道內的雙金屬條。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝，其中所述雙金屬條包括第一端和第二端，所述第一端被固定地聯結到所述通道的第一端。

14.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述可熱膨脹材料被配置為當所述可熱膨脹材料超過所述第一溫度時經歷不可逆的物理變形。

15.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述可熱膨脹材料包括被配置為當所述可熱膨脹材料超過所述第一溫度時被釋放的夾子。

16.一種電子系統，包括：

電路板；和

被置放在所述電路板上的半導體封裝，所述半導體封裝包括

????第一表面，和

????被置放在所述第一表面內的可熱膨脹材料的區域，所述可熱膨脹材料的區域被配置為當所述可熱膨脹材料的溫度超過第一溫度時將所述半導體封裝的第一表面推離所述電路板。

17.根據權利要求16所述的電子系統，其中所述可熱膨脹材料的區域是雙金屬條，所述雙金屬條包括：

具有第一線性膨脹系數的內表面；和

具有第二線性膨脹系數的外表面，其中

????所述內表面與所述外表面相對，

????所述內表面面對所述半導體封裝的所述第一表面地被置放在所述半導體封裝上，并且

????所述第一線性膨脹系數大于所述第二線性膨脹系數。

18.根據權利要求16所述的電子系統，其中：

所述半導體封裝包括被配置為被耦合到所述電路板的一行觸點；并且

所述可熱膨脹材料的區域鄰近于所述一行觸點地被置放在空腔中。