[發明專利]半導體器件及其制造方法以及封裝后的半導體器件

在審

• 申請號: 201310035403.5
• 申請日: 2013-01-29
• 公開（公告）號: CN103779243A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 雷弋昜;葉斯彧;陳煜仁;郭宏瑞;劉重希
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上方形成多個接觸焊盤；

在所述多個接觸焊盤和所述襯底上方形成絕緣材料；

圖案化所述絕緣材料以在所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的上方形成開口；

清潔所述多個接觸焊盤；以及

在所述多個接觸焊盤上方以及在部分所述絕緣材料的上方形成球下金屬化(UBM)結構，其中清潔所述多個接觸焊盤使所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的頂面凹陷。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述絕緣材料包括形成厚度為約3μm至約10μm的絕緣材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，清潔所述多個接觸焊盤包括用酸性溶液清潔所述多個接觸焊盤。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，清潔所述多個接觸焊盤使所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的頂面凹陷約400埃以上。

5.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述絕緣材料包括形成聚合物，并且其中，所述方法進一步包括在圖案化所述絕緣材料之后在約300至400攝氏度的溫度下對所述聚合物固化約1至2小時。

6.一種半導體器件，包括：

襯底；

多個接觸焊盤，設置在所述襯底上方，所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤都包括頂面，所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的頂面都包括凹陷部分和非凹陷部分；

絕緣材料，設置在所述襯底和所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的頂面的非凹陷部分的上方；以及

球下金屬化(UBM)結構，設置在所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的頂面的凹陷部分上方以及部分所述絕緣材料的上方。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述絕緣材料包括位于所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的頂面的凹陷部分上方的開口。

8.一種半導體器件，包括：

襯底；

多個接觸焊盤，接近所述襯底的頂面設置，所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤都包括具有凹陷部分的頂面；

絕緣材料，設置在所述襯底上方以及設置在所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的非凹陷部分上方；

球下金屬化(UBM)結構，設置在所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤的凹陷部分上方和部分所述絕緣材料的上方；以及

導電凸塊，連接至位于所述多個接觸焊盤中的每一個接觸焊盤上方的UBM結構。

9.一種包括根據權利要求8所述的半導體器件的封裝后的半導體器件，其中，所述襯底包括封裝襯底，所述半導體器件包括封裝器件，并且所述封裝后的半導體器件包括與所述封裝器件的導電凸塊連接的集成電路管芯。

10.一種包括根據權利要求8所述的半導體器件的封裝后的半導體器件，其中，所述襯底包括集成電路管芯，并且所述封裝后的半導體器件包括與所述半導體器件的導電凸塊連接的封裝器件。