[發(fā)明專利]確定半導體鰭中的載流子濃度的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310034628.9
• 申請日: 2013-01-29
• 公開（公告）號: CN103852702A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 萬幸仁;奧野泰利;葉凌彥;施啟元;邵元輔;蔡偉駿
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，包括：

使用四點探針頭探測至少一個半導體鰭，所述四點探針頭的四個探針引腳與所述至少一個半導體鰭接觸；

測量所述至少一個半導體鰭的電阻；以及

通過所述電阻計算半導體鰭的載流子濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括通過所述電阻計算所述半導體鰭的電阻率，通過所述電阻率計算所述載流子濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在探測步驟期間，所述四點探針頭的所述四個探針引腳與多個半導體鰭接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在探測步驟期間，所述四點探針頭的所述四個探針引腳與所述至少一個半導體鰭的頂面接觸，并且所述至少一個半導體鰭的頂面與緊鄰所述至少一個半導體鰭的隔離區(qū)的頂面平齊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在探測步驟期間，所述四點探針頭的所述四個探針引腳與所述至少一個半導體鰭的頂面接觸，并且所述至少一個半導體鰭突出到緊鄰所述至少一個半導體鰭的隔離區(qū)之外。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，進一步包括：

在所述探測步驟之前，蝕刻所述隔離區(qū)以降低所述隔離區(qū)的頂面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，對包括具有相等寬度和相等間距的多個半導體鰭的測試圖案實施探測步驟，并且在多個半導體鰭中包括所述至少一個半導體鰭。

8.一種方法，包括：

四點探針頭的第一探針引腳、第二探針引腳、第三探針引腳和第四探針引腳與測試結(jié)構(gòu)中的多個半導體鰭接觸以探測測試結(jié)構(gòu)，所述多個半導體鰭相互平行；

施加電流以流經(jīng)所述第一探針引腳和所述第四探針引腳；

通過所述第二探針引腳和所述第三探針引腳測量電壓，其中，所述第二探針引腳和所述第三探針引腳位于所述第一探針引腳和所述第四探針引腳之間；

使用所述電流和所述電壓計算所述多個半導體鰭的電阻率；以及

通過電阻率計算所述多個半導體鰭的載流子濃度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，從上往下看時，所述測試結(jié)構(gòu)的大小在約40μm和約60μm之間。

10.一種方法，包括：

在多個隔離區(qū)之間形成多個半導體鰭；

實施化學機械拋光以使所述半導體鰭的頂面與所述多個隔離區(qū)的頂面平齊；

將所述多個隔離區(qū)的頂面凹進，其中，所述多個半導體鰭包括位于所述多個隔離區(qū)上方的部分；以及

使用四點探針頭探測所述多個半導體鰭。