[發明專利]一種用于探測光強度的多層膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201310034539.4 | 申請日： | 2013-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN103078059A | 公開（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發明（設計）人： | 劉向;薛鈺芝;林紀宇 | 申請（專利權）人： | 大連交通大學 |
| 主分類號： | H01L51/44 | 分類號： | H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 大連東方專利代理有限責任公司 21212 | 代理人： | 趙淑梅;李洪福 |
| 地址： | 116028 遼寧*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 探測 強度 多層 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于探測光強度的多層膜，其特征在于：在ITO玻璃基底層（1）上設有有機薄膜層Ⅰ（2），所述有機薄膜層Ⅰ（2）上設有有機薄膜層Ⅱ（3），在所述有機薄膜層Ⅱ（3）上設有金屬薄膜電極（4）。
2.根據權利要求1所述的一種用于探測光強度的多層膜，其特征在于：所述有機薄膜層Ⅰ（2）是由并五苯和酞菁銅的混合材料制成的，并五苯和酞菁銅的摩爾比為1:9-1:4，薄膜的厚度為35nm-65nm。
3.根據權利要求1所述的一種用于探測光強度的多層膜，其特征在于：所述有機薄膜層Ⅱ（3）為N型有機薄膜，厚度為25nm-40nm。
4.根據權利要求3所述的一種用于探測光強度的多層膜，其特征在于：所述N型有機薄膜為富勒烯。
5.根據權利要求1所述的一種用于探測光強度的多層膜，其特征在于：所述金屬薄膜電極（4）的材料為金、鉑、銀。
6.一種權利要求1所述的用于探測光強度的多層膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：
①在ITO玻璃基底層（1）上采用真空蒸發、旋涂或者噴墨打印的方法制備一層有機薄膜層Ⅰ（2），厚度為35nm-65nm；
②在所述有機薄膜層Ⅰ（2）上采用真空蒸發、旋涂或者噴墨打印的方法制備一層有機薄膜層Ⅱ（3），厚度為25nm-40nm；
③在所述有機薄膜層Ⅱ（3）上采用真空蒸鍍一層金屬金、鉑或銀薄膜層作為金屬薄膜電極（4）。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述有機薄膜層Ⅰ（2）的材料是由并五苯和酞菁銅混合制成的。
8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述步驟①中采用真空蒸發的方法時，襯底溫度為60℃-150℃。
9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述有機薄膜層Ⅱ（3）為N型有機薄膜，所述N型有機薄膜為富勒烯。
10.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述步驟②中采用真空蒸發的方法時，襯底溫度為40℃-90℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
