[發(fā)明專利]一種用于磁控直拉單晶用MgB2超導(dǎo)磁體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310034330.8 | 申請日: | 2013-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN103106994A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李超;閆果;梁書錦;熊小偉;葛正福;劉向宏;馮勇;張平祥 | 申請(專利權(quán))人: | 西部超導(dǎo)材料科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01F6/04 | 分類號: | H01F6/04;H01F6/06;C30B15/20 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務(wù)所 61214 | 代理人: | 羅笛 |
| 地址: | 710018 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 磁控直拉單晶用 mgb sub 超導(dǎo) 磁體 | ||
1.一種用于磁控直拉單晶用MgB2超導(dǎo)磁體,其特征在于,包括低溫容器,制冷機(jī)(1)安裝到所述低溫容器上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于磁控直拉單晶用MgB2超導(dǎo)磁體,其特征在于,所述制冷機(jī)(1)由制冷機(jī)一級冷頭(8)、制冷機(jī)二級冷頭(9)組成;
所述低溫容器由外到內(nèi)依次設(shè)置的外層低溫容器(2)、防輻射冷屏(3)、線圈容器(4)組成,所述線圈容器(4)內(nèi)設(shè)置有MgB2超導(dǎo)繞組(5),
其中,所述制冷機(jī)一級冷頭(8)與防輻射冷屏(3)相連,所述制冷機(jī)二級冷頭(9)與MgB2超導(dǎo)繞組(5)相連,
二元電流引線(11)由無氧銅線與超導(dǎo)部分連接而成,與室溫接觸一側(cè)采用無氧銅線,無氧銅線另一端與超導(dǎo)部分一端連接后安裝在制冷機(jī)一級冷頭(8)處,二元電流引線(11)的超導(dǎo)部分的另一端與所述MgB2超導(dǎo)繞組(5)相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于磁控直拉單晶用MgB2超導(dǎo)磁體,其特征在于,所述低溫容器分為上下兩層,兩組MgB2超導(dǎo)繞組(5)分別設(shè)置在低溫容器的兩層中,兩層之間通過繞組杜瓦支撐體(10)支撐;所述線圈容器(4)設(shè)置兩個,兩個線圈容器(4)分別設(shè)置在低溫容器分為上下兩層相對安裝,所述線圈容器(4)通過線圈容器支撐架(7)固定支撐在防輻射冷屏(3)內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于磁控直拉單晶用MgB2超導(dǎo)磁體,其特征在于,所述線圈容器(4)表面設(shè)置低溫預(yù)冷流體容器(12),低溫預(yù)冷流體容器(12)采用液氮或液氖作為預(yù)冷卻介質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于磁控直拉單晶用MgB2超導(dǎo)磁體,其特征在于,所述低溫容器中間設(shè)置有單晶爐安裝孔(15)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于磁控直拉單晶用MgB2超導(dǎo)磁體,其特征在于,所述制冷機(jī)二級冷頭(9)與MgB2超導(dǎo)繞組(5)通過導(dǎo)冷銅編織帶(6)相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于磁控直拉單晶用MgB2超導(dǎo)磁體,其特征在于,所述線圈容器(4)與MgB2超導(dǎo)繞組(5)采用螺栓固定。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于磁控直拉單晶用MgB2超導(dǎo)磁體,其特征在于,所述MgB2超導(dǎo)繞組(5)采用MgB2超導(dǎo)線帶材繞制,采用懸掛支撐結(jié)構(gòu)進(jìn)行連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于磁控直拉單晶用MgB2超導(dǎo)磁體,其特征在于,所述MgB2超導(dǎo)繞組(5)采用螺線管方式繞制或采用雙餅線圈形式繞制。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于磁控直拉單晶用MgB2超導(dǎo)磁體,其特征在于,所述防輻射冷屏(3)內(nèi)外表面粘貼多層鍍鋁的PET薄膜。
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