[發(fā)明專利]發(fā)光元件及其制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310034255.5
• 申請(qǐng)日: 2013-01-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103972355A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林立凡;薛清全;廖文甲;陳世鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 趙根喜;呂俊清

1.一種發(fā)光元件，包含:

兩導(dǎo)電層，所述兩導(dǎo)電層間具有一開(kāi)槽；

一可撓性絕緣層，設(shè)置于該開(kāi)槽中并與所述兩導(dǎo)電層結(jié)合；

一發(fā)光晶粒，置于所述兩導(dǎo)電層的其中的一導(dǎo)電層上或跨設(shè)于該可撓性絕緣層之上，該發(fā)光晶粒的一電極連接其中的一導(dǎo)電層，該發(fā)光晶粒的另一電極連接另一導(dǎo)電層；以及

一封裝體，包覆該發(fā)光晶粒。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該可撓性絕緣層的上表面與該導(dǎo)電層的上表面處于同一水平面上。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該可撓性絕緣層的厚度小于200微米。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該導(dǎo)電層的厚度大于10微米。

5.一種發(fā)光元件，包含:

至少兩第一導(dǎo)電層，相鄰的第一導(dǎo)電層間具有一開(kāi)槽；

一可撓性絕緣層，位于該開(kāi)槽下方并與所述第一導(dǎo)電層結(jié)合；

至少兩第二導(dǎo)電層，對(duì)應(yīng)地設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層下方，所述第二導(dǎo)電層的一下表面與該可撓性絕緣層的一下表面處于同一水平面；

至少一發(fā)光晶粒，電連接于所述第一導(dǎo)電層；以及

一封裝體，包覆該發(fā)光晶粒。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該發(fā)光晶粒跨設(shè)于該可撓性絕緣層之上，該發(fā)光晶粒的兩電極分別連接于相鄰的兩個(gè)第一導(dǎo)電層。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件，其中該封裝體至少部分設(shè)置于該開(kāi)槽中，以緊密地包覆該發(fā)光晶粒。

8.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該發(fā)光元件還包含至少一導(dǎo)線，該導(dǎo)線跨設(shè)于該開(kāi)槽之上，該發(fā)光晶粒置于所述兩第一導(dǎo)電層的其中的一第一導(dǎo)電層，該導(dǎo)線的一端連接于該發(fā)光晶粒的一電極，另一端連接于與該其中的一第一導(dǎo)電層相鄰的一第一導(dǎo)電層。

9.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該可撓性絕緣層的厚度小于200微米。

10.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該第一導(dǎo)電層的厚度大于10微米。

11.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該可撓性絕緣層的寬度等于該開(kāi)槽的寬度。

12.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該可撓性絕緣層的寬度大于該開(kāi)槽的寬度。

13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光元件，其中該可撓性絕緣層的寬度一致。

14.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光元件，其中該可撓性絕緣層的寬度隨著遠(yuǎn)離該第一導(dǎo)電層而遞增。

15.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光元件，其中該可撓性絕緣層的寬度隨著遠(yuǎn)離該第一導(dǎo)電層而遞減。

16.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該發(fā)光元件還包含至少兩第三導(dǎo)電層，所述第三導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)地設(shè)置于所述第兩導(dǎo)電層下方。

17.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該發(fā)光元件還包含一中介層，該中介層設(shè)置于該第兩導(dǎo)電層下方。

18.如權(quán)利要求17所述的的發(fā)光元件，其中該發(fā)光元件還包含至少兩第三導(dǎo)電層，設(shè)置于該中介層下方。

19.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該發(fā)光元件包含多個(gè)發(fā)光晶粒，任兩相鄰的第一導(dǎo)電層之間具有該開(kāi)槽，該可撓性絕緣層設(shè)置于各開(kāi)槽下方并與第一導(dǎo)電層結(jié)合，各發(fā)光晶粒置于任兩第一導(dǎo)電層的其中的一第一導(dǎo)電層上或跨設(shè)于該可撓性絕緣層之上，所述發(fā)光晶粒通過(guò)所述第一導(dǎo)電層形成串并聯(lián)連接。

20.一種發(fā)光元件的制作方法，包含:

a)提供一第一導(dǎo)電層及一可撓性絕緣層，該可撓性絕緣層位于該第一導(dǎo)電層的下方；

b)于該第一導(dǎo)電層上形成至少一開(kāi)槽；

c)移除部分的該可撓性絕緣層，使露出至少部分的該第一導(dǎo)電層；

d)于露出該可撓性絕緣層的該第一導(dǎo)電層形成一第兩導(dǎo)電層，該第兩導(dǎo)電層的一下表面與該可撓性絕緣層的一下表面為于同一水平面；

e)設(shè)置至少一發(fā)光晶粒于第一導(dǎo)電層上或跨設(shè)于可撓性絕緣層之上；以及

f)形成包覆該發(fā)光晶粒的一封裝體。

21.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光元件的制作方法，其中該制作方法還包含:

形成一中介層于該第兩導(dǎo)電層下方。