[發明專利]相變存儲器驅動電路及置位和復位方法

有效

• 申請號: 201310033984.9
• 申請日: 2013-01-29
• 公開（公告）號: CN103093816A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 程國勝;王龍;孔濤;衛芬芬;黃榮;張杰
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C11/56
• 代理公司: 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316
• 代理人: 宋鷹武

1.一種相變存儲器驅動電路，其包括相變電路、用于提供置位電流和復位電流的置位復位電路、用于提供讀電流的讀電路及控制操作電流脈沖時序的開關電路，所述相變電路、所述置位復位電路及所述讀電路均一端連接所述開關電路、另一端接地；其特征在于：所述相變存儲器驅動電路進一步包括孵育電路，所述孵育電路用于給相變存儲器提供低于置位電流的納秒量級的孵育電流，其一端和所述開關電路相連接、另一端接地。?

2.如權利要求1所述的相變存儲器驅動電路，其特征在于，所述置位復位電路為相變存儲器施加皮秒量級的置位復位電流脈沖。?

3.如權利要求1所述的相變存儲器驅動電路，其特征在于，所述相變電路包括傳輸門、相變電阻和選通管，所述傳輸門、所述相變電阻和所述選通管的漏極依次連接，所述選通管的源極接地。?

4.如權利要求3所述的相變存儲器驅動電路，其特征在于，所述開關電路包括多個具有皮秒級開關速度的控制開關，所述相變電路、所述置位復位電路、所述讀電路和所述孵育電路分別連接一個所述控制開關。?

5.如權利要求4所述的相變存儲器驅動電路，其特征在于，所述置位復位電路由置位電流鏡和復位電流鏡構成，所述讀電路由讀電流鏡構成，所述孵育電路由孵育電流鏡構成，所述孵育電流鏡、所述置位電流鏡、所述復位電流鏡和所述讀電流鏡依次級聯。?

6.如權利要求5所述的相變存儲器驅動電路，其特征在于，所述相變存儲器驅動電路進一步包括基準電流源和基準NMOS管，所述孵育電流鏡由第一PMOS管、第五PMOS管和第一NMOS管構成；所述第一PMOS管的漏極通過一個所述控制開關連接于所述基準NMOS管的漏極，源極接輸入電源，柵極和漏極相連且連接所述第五PMOS管的柵極；?所述第五PMOS管的漏極接輸入電源，源極接所述傳輸門；所述第一NMOS管的源極接地，柵極連接所述基準NMOS管的柵極。?

7.如權利要求6所述的相變存儲器驅動電路，其特征在于，所述置位電流鏡由第二PMOS管、第六PMOS管和第二NMOS管構成，所述第二PMOS管的漏極通過一個所述控制開關連接于所述第二NMOS管的漏極，源極接輸入電源，柵極和漏極相連且連接所述第六PMOS管的柵極；所述第六PMOS管的漏極接輸入電源，源極接所述傳輸門；所述第二NMOS管的源極接地，柵極連接所述第一NMOS管的柵極。?

8.如權利要求7所述的相變存儲器驅動電路，其特征在于，所述復位電流鏡由第三PMOS管、第七PMOS管和第三NMOS管構成；所述第三PMOS管的漏極通過一個所述控制開關連接于所述第三NMOS管的漏極，源極接輸入電源，柵極和漏極相連且連接所述第七PMOS管的柵極；所述第七PMOS管的漏極接輸入電源，源極接所述傳輸門；所述第三NMOS管的源極接地，柵極連接所述第二NMOS管的柵極。?

9.如權利要求1所述的相變存儲器驅動電路，其特征在于，所述讀電流鏡由第四PMOS管、第八PMOS管和第四NMOS管構成；所述第四PMOS管的漏極通過一個所述控制開關連接于所述第四NMOS管的漏極，源極接輸入電源，柵極和漏極相連且連接所述第八PMOS管的柵極；所述第八PMOS管的漏極接輸入電源，源極接所述傳輸門；所述第四NMOS管的源極接地，柵極連接所述第三NMOS管的柵極。?

10.如權利要求1所述的相變存儲器驅動電路，其特征在于，所述孵育電流的大小為所述置位電流的三分之一到二分之一。?

11.如權利要求4所述的相變存儲器驅動電路，其特征在于，所述置位復位電路由可控皮秒脈沖發生器、緩沖器和第九PMOS管構成，所述可控皮秒脈沖發生器的一端與所述緩沖器相連，另一端接地；所述緩沖器通過一個所述控制開關連接于所述第九PMOS管的柵極；所述第九?PMOS管的漏極接輸入電源，源極接所述傳輸門。?

12.如權利要求11所述的相變存儲器驅動電路，其特征在于，所述可控皮秒脈沖發生器可發出不同幅值和持續時間的皮秒級的置位或復位脈沖。?