[發(fā)明專利]一種電容式壓力傳感器的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310033190.2
• 申請(qǐng)日: 2013-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN103964370A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉圣亞;高成臣;郝一龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種體硅工藝制成的壓力傳感器，該壓力傳感器自上而下包括上玻璃板，硅敏感膜片，下玻璃電極板。其特征在于，所述方法包括以下步驟：玻璃電極的加工步驟：采用玻璃作為下極板，在玻璃板上采用淀積工藝淀積金屬，作為電極，并圖形化電極形成電極引線和壓焊電極.敏感膜片的加工：采用硅片作為基片，在背面腐蝕出電容間隙，淀積電極，和玻璃電極鍵合后，腐蝕出正面的硅島。硅島為變截面型硅島。打孔玻璃鍵合：腐蝕出硅島后，與打孔玻璃鍵合在一起。劃片：通過(guò)劃片完成裂片和壓焊電極的露出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述電容式壓力傳感器的制造方法，玻璃電極的制造方法包括電極和引線以及陽(yáng)極鍵合時(shí)為避免靜電吸合而制作的電極。金屬層生長(zhǎng)步驟，在玻璃基片上形成金屬層；金屬層圖形化步驟，圖形化所述金屬層，形成所述電容式壓力傳感器的一個(gè)極板的電極，電信號(hào)引出線以及壓焊電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容式壓力傳感器的制造方法，其特征在于當(dāng)采用單晶硅基片作為敏感電極膜片時(shí)，膜片的的制造方法包括電容間隙的制造和硅島的制造，在電容間隙制造制造時(shí)包括電極引出槽和防進(jìn)水槽的設(shè)計(jì)，以及防止靜電吸合時(shí)接觸電極。在腐蝕硅島時(shí)采用KOH溶液作為腐蝕液，腐蝕出變截面(八角形)膜片。

膜片的加工步驟為，

熱氧化生長(zhǎng)步驟，通過(guò)熱氧化在單晶硅基片上形成絕緣層.電容間隙腐蝕步驟，背面光刻SiO₂，用TMAH溶液腐蝕出電容間隙及防止后續(xù)鍵合進(jìn)水裝置。電容極板金屬制作步驟，淀積金屬，并圖形化金屬電極，形成電容的硅極板電極及引線及壓焊電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1，硅島的制備方法為，先將制備好的玻璃極板和硅極板以靜電鍵合的方法鍵合在一起，鍵合完成后背面玻璃用膠保護(hù)，正面光刻，并腐蝕出硅島。

5.根據(jù)權(quán)利要求1，電容式壓力傳感器的制備方法，將腐蝕好的硅島與打孔玻璃鍵合在一起。

6.根據(jù)權(quán)利要求1，電容式壓力傳感器的制備方法，通過(guò)劃片完成裂片和電容間隙的露出。