[發明專利]一種采用新型助熔劑熔鹽法生長KTiOAsO4晶體的方法有效
| 申請號： | 201310032669.4 | 申請日： | 2013-01-28 |
| 公開（公告）號： | CN103088401A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發明（設計）人： | 王世武;賈延偉;王鴻雁 | 申請（專利權）人： | 青島海泰光電技術有限公司 |
| 主分類號： | C30B9/12 | 分類號： | C30B9/12;C30B29/32 |
| 代理公司： | 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 鄭自群 |
| 地址： | 266107 山東省青島*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 采用 新型 熔劑 熔鹽法 生長 ktioaso sub 晶體 方法 | ||
1.一種采用新型助熔劑熔鹽法生長KTiOAsO4晶體的方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）用純水將KH2AsO4加熱溶解、過濾、冷卻、析出，重結晶后去頭去尾；
（2）在超凈房中，將重結晶后的KH2AsO4與K2CO3、TiO2、氟化物加入鉑坩堝中；
（3）將鉑坩堝放置于合料爐內，高溫1000～1200℃攪拌合成KTiOAsO4、K4As2O7、氟化物的均勻混合物料，之后冷卻至室溫；
（4）將鉑坩堝迅速放入干燥的熔鹽爐內；
（5）頂部籽晶法生長KTiOAsO4晶體，其中：籽晶晶向為Z向<001>，籽晶桿轉速20～60rpm，籽晶桿旋轉方式為正轉-停止-反轉，晶體生長起始溫度850～950℃，溫度梯度0.2～2℃/cm，降溫速率0.5～2℃/day，降溫40～60℃；
（6）晶體生長結束后，將熔鹽爐降至室溫，取出制得的KTiOAsO4晶體。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氟化物為BaF2或NaF或KF中的任意一種或多種。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，KTiOAsO4、K4As2O7、氟化物的混合體系中，KTiOAsO4與K4As2O7的摩爾比為0.4～0.8。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，KTiOAsO4、K4As2O7、氟化物的混合體系中，F元素與KTiOAsO4的摩爾比為0.02～0.06。
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