[發(fā)明專利]使用定向自組裝的光刻工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310032512.1
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN103809370A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張鈺聲;蔡宗容;李忠儒;包天一
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/16;G03F7/42;G03F1/80;G03F1/46;H01L21/027
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，包括：

形成圖案化的硬掩模層，其中溝槽形成在所述圖案化的硬掩模層中；

將塊狀共聚物(BCP)涂層分配在所述溝槽中，所述BCP涂層包括聚苯乙烯(PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；

對BCP涂層實施退火以形成以交替布局定位的多條PS帶和多條PMMA帶；以及

選擇性地蝕刻所述PMMA帶，而使所述PS帶保留在所述溝槽中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括：將所述PS帶和所述硬掩模層組合用作蝕刻掩模以蝕刻所述PS帶和所述圖案化的硬掩模層下面的層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述圖案化的硬掩模層的步驟包括形成無機層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，形成所述硬掩模層的步驟包括形成氮化物層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括：在分配所述BCP涂層的步驟之前形成中性層，所述BCP涂層被分配在所述中性層上方。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述中性層包括：位于所述溝槽的底部處的第一部分以及位于所述硬掩模層的側(cè)壁和頂面上的第二部分，并且所述方法進一步包括：在分配所述BCP涂層的步驟之前，去除所述中性層的第二部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述圖案化的硬掩模層的步驟包括：

形成硬掩模層；

在所述硬掩模層上方形成圖案化的光刻膠；

蝕刻所述硬掩模層以形成所述圖案化的硬掩模層，其中所述圖案化的光刻膠被用作蝕刻掩模；以及

在分配和退火之前，去除所述圖案化的光刻膠。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進一步包括：

在形成所述圖案化的光刻膠的步驟之前，在所述硬掩模層上方形成底部抗反射涂層(BARC)，所述圖案化的光刻膠位于所述BARC上方；以及

在分配和退火之前，去除所述BARC。

9.一種方法，包括：

形成硬掩模層；

在所述硬掩模層上方形成光刻膠并且圖案化所述光刻膠；

將所述光刻膠用作蝕刻掩模來圖案化所述硬掩模層，以在所述硬掩模層中形成溝槽；

去除所述光刻膠；

在所述溝槽中分配塊狀共聚物(BCP)涂層，所述BCP涂層包括聚苯乙烯(PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；

對所述BCP涂層實施退火以由所述BCP涂層形成多條PS帶和多條PMMA帶，交替定位所述多條PS帶和所述多條PMMA帶；

選擇性地蝕刻所述PMMA帶，而使所述PS帶保留在所述溝槽中；以及

將所述PS帶和所述硬掩模層用作蝕刻掩模來蝕刻所述PS帶和所述硬掩模層下面的層。

10.一種方法，包括：

在下層上方形成非感光層；

圖案化所述非感光層以形成溝槽；

將塊狀共聚物(BCP)涂層分配到所述溝槽內(nèi)；

對所述BCP涂層上實施退火以將所述BCP涂層分成第一多條帶和第二多條帶，所述第一多條帶和所述第二種多條帶具有不同的成分并且以交替布局進行定位；

選擇性地蝕刻所述第一多條帶，而使所述第二多條帶保留在所述溝槽中；

將所述第二多條帶和所述非感光層用作蝕刻掩模來蝕刻所述下層；以及

在蝕刻所述下層之后，去除所述第二多條帶和所述非感光層。